Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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強化のタイプMosfet Nチャネルのトランジスター45W 12.5V RA45H4045MR-101

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省/州:guangdong
国/地域:china
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強化のタイプMosfet Nチャネルのトランジスター45W 12.5V RA45H4045MR-101

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型式番号 :RA45H4045MR-101
原産地 :JP
最低順序量 :1 部分
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 :1 年ごとの 10000 部分
受渡し時間 :1-2 営業日
包装の細部 :工場標準的なパッキング
条件 :100%の真新しいプロダクト
部分の状態 :アクティブ
パッケージ :H2S
無鉛状態/RoHS の状態 :迎合的
出力パワー :最大45W
電圧 :12.5V
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R45H4045MR-101 400-450MHz 45W 12.5V、3はAmp.を上演します。移動式ラジオのため

記述

RA45H4045MRは- 450 MHz範囲へ… 400で作動する12.5ボルトの移動式ラジオのための45ワットRF MOSFETのアンプ モジュールです。電池は強化モードMOSFETのトランジスターの下水管に直接接続することができます。ゲートの電圧(VGG=0V)なしで、小さい漏出流れだけ下水管に流れ、RFの入力信号は60までdBを減少させます。ゲートの電圧として出力電力および下水管の現在の増加は増加します。大幅に4Vの(最低)、出力電力および下水管の現在の増加のまわりのゲートの電圧を使って。わずかな出力電力は4.5V (典型的な)および5V (最高)で利用できるようになります。VGG=5Vで、典型的なゲートの流れは1 mAです。このモジュールは非線形FM調節のために設計されていましたり、また線形調節にゲートの電圧の下水管の静止流れを置き、入力パワーとの出力電力を制御することによって使用するかもしれません。

特徴

1の強化モードMOSFETのトランジスター(IDD≅0 @ VDD=12.5V、VGG=0V)•Pout>45W、ηT>35% @ VDD=12.5V、VGG=5V、Pin=50mW

2の広帯域周波数範囲:400-450MHz•VGG=5Vのローパワー制御現在のIGG=1mA (typ)

3のモジュールのサイズ:66 x 21 X 9.88 mm

4の逆PINのタイプ•線形操作は静止下水管をゲートの電圧と現在置くことおよび入力パワーとの出力電力を制御することによって可能です

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