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JY11M Nチャネルの強化モード力MOSFET
概説
JY11Mは高い細胞を達成するのに最も最近の堀の加工の技巧を利用します
密度は高く反復的ななだれの評価のオン抵抗を減らし。これら
特徴はこの設計に非常に有効な、信頼できる装置をのためのするために結合します
力の切換えの適用および他のいろいろ適用の使用。
特徴
● 100V/110A、RDS （） =6.5MΩ@VGS=10V
●の速い切換えおよび逆ボディ回復
●の十分に特徴付けられたなだれの電圧および流れ
よい熱放散のための●の優秀なパッケージ
適用
●の切換えの適用
●の懸命に転換された高周波回路
インバーター システムのための●力管理
絶対最高評価（通知がなければTc=25ºC）
| 記号 | 変数 | 限界 | 単位 | |
| VDS | 下水管源の電圧 | 100 | V | |
| VGS | ゲート源の電圧 | ± 20 | V | |
| ID | 連続的な下水管 現在 |
Tc=25ºC | 110 | A |
| Tc=100ºC | 82 | |||
| IDM | 脈打った下水管の流れ | 395 | A | |
| PD | 最高の電力損失 | 210 | W | |
| TJ TSTG | 作動の接続点および保管温度 範囲 |
-55から+175 | ºC | |
| RθJC | 場合への熱抵抗接続点 | 0.65 | ºC/W | |
| RθJA | 包囲されたへの熱抵抗接続点 | 62 |
電気特徴（通知がなければTa=25ºC）
| 記号 | 変数 | 条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| 静特性 | ||||||
| BVDSS | 下水管源 絶縁破壊電圧 |
VGS =0V、IDS =250UA | 100 | V | ||
| IDSS | ゼロ ゲートの電圧 流れを流出させて下さい |
VDS =100V、VGS =0V | 1 | uA | ||
| IGSS | ゲート ボディ漏出 現在 |
VGSの=± 20V、VDS =0V | ± 100 | nA | ||
| VGS （Th） | ゲートの境界 電圧 |
VDS = VGS、IDS =250UA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| RDS （） | 下水管源 オン州の抵抗 |
VGS =10V、IDS =40A | 6.5 | mΩ | ||
| gFS | 前方 相互コンダクタンス |
VDS =50V、IDS =40A | 100 | S |
ダウンロードJY11Mの利用者マニュアル
