最新の価格を尋ねる
正会員
3 年
Add to Cart
FDN358PのトランジスターIC破片のP-Channel 20 V 1.7A 1Wの表面の台紙SOT-23
FDN358PのP-Channel 30 V 1.5A （Ta）の500mW （Ta）表面の台紙SOT-23-3
FDN358Pの特徴
– 1.5 A、– 30 V. RDSの（） = 125 mΩ @ VGS = – 10 V RDSの（） = 200 mΩ @ VGS = – 4.5ボルト
•低いゲート充満（典型的な4 NC）
•極端に低いRDSのための高性能の堀の技術（）。
•業界標準SOT-23パッケージの高い発電版。機能を扱う30%の高い発電のSOT-23への同一のピン。
FDN358Pの製品特質
|
プロダクト
|
FDN358P
|
|
FETのタイプ
|
P-Channel
|
|
技術
|
MOSFET （金属酸化物）
|
|
流出させなさいに源の電圧（Vdss）
|
30ボルト
|
|
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
|
1.5A （Ta）
|
|
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
|
4.5V、10V
|
|
（最高） @ ID、VgsのRds
|
125mOhm @ 1.5A、10V
|
|
Vgs （（最高） Th） @ ID
|
3V @ 250µA
|
|
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
|
5.6 NC @ 10ボルト
|
|
Vgs （最高）
|
±20V
|
|
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
|
182 pF @ 15ボルト
|
|
FETの特徴
|
-
|
|
電力損失（最高）
|
500mW （Ta）
|
|
実用温度
|
-55°C | 150°C （TJ）
|
|
タイプの取付け
|
表面の台紙
|
|
製造者装置パッケージ
|
SOT-23-3
|
|
パッケージ/場合
|
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
|
|
基礎プロダクト数
|
FDN358
|
FDN358Pの環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
|---|---|
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
