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SZ ADEの電子工学Co.、株式会社
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Transistor IC Chip
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FDN335NのトランジスターICは20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet ICの表面の台紙SOT-23を欠く
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集積回路の破片
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企業との接触
SZ ADEの電子工学Co.、株式会社
シティ：
shenzhen
省/州：
guangdong
国/地域：
china
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FDN335NのトランジスターICは20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet ICの表面の台紙SOT-23を欠く
製品の詳細
FDN335NのトランジスターIC破片のP-Channel 20 V 1.7A 1Wの表面の台紙SOT-23 FDN335Nの特徴 ●TrenchFET力MOSFET ●夕食の高密度細胞の設計 FDN335Nの製品特質 プロダクト FDN335N FETのタイプ P-Channel 技術 ...
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データシート 7 段間の共通アンード
pチャネルモスフェットソット-23
7段アノードデータシート
