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Mo1モリブデン イオンは部品を半導体材料のイオン・インプランテーションの表面の修正の研究そして適用で非より有効、広く利用されている植え付けた。多くの窒素のイオン・インプランテーションは実現し金属のイオン・インプランテーションはよく実現することができる。但し、半導体のイオン・インプランテーションの必要性に基づいて従来のイオンimplanterのため比較的強い金属のイオン ビームを得ることは困難であり非半導体材料のイオン・インプランテーションの表面の修正の費用はまた比較的高い。
指定及び化学成分
| 材料 | 等級 | 化学成分（重さによって） |
| 純粋なMoly | Mo1 | >99.95%min.Mo |
| チタニウムZr Mo合金 | TZM | 0,5%のチタニウム/0,08%のZr/0,01 - 0,04% C |
| Mo HfC | MHC | 1,2% Hf/0,05 - 0,12% C |
| Molyレニウム | もっと | 再5,0% |
| Molyのタングステン | MoW20 | 20,0% W |
| Molyのタングステン | MoW505 | 0,0% W |
イオン ビームが真空の固体材料に出る場合の、イオン ビームは固体材料の表面から固体材料の原子か分子をたたくことイオン・インプランテーションの平均。この現象は放出させること呼ばれる;
イオン ビームは固体材料に当るとき、固体材料またはパスの表面から固体材料を通って立ち直る。これらの現象は分散呼ばれる;
もう一つの現象はイオン ビームが固体材料に撃たれた後、固体材料の抵抗によってゆっくり減る、固体材料に最終的にこととどまる。この現象はイオン・インプランテーションと呼ばれる。
この表面処理の技術の優越性、実行可能性および広い市場見通しは部門およびずっと単位によってますます認められ、広く利用されている。研究開発の年に従って、金属のイオン・インプランテーションは次のタイプの用具、ダイスおよび部品の表面処理のために特に適している:
