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モリブデン プロダクトを植え付けるイオンはイオンに要素の原子をイオン化し、10の電圧で何百ものkVに加速し、そして高速を得た後真空ターゲット部屋に置かれる工作物材料の表面に注入するイオン ビームの技術である。
イオン・インプランテーションの後で、材料の表面の身体検査の、化学および機械特性はかなり変わる。金属表面の連続的な耐久性は2に達することができる|最初の注入の深さの3つの一桁。
指定及び化学成分（体言）
| 材料 | タイプ | 化学成分（重さによって） |
| 純粋なMoly | Mo1 | >99.95%min.Mo |
| チタニウムZr Mo合金 | TZM | 0,5%のチタニウム/0,08%のZr/0,01 - 0,04% C |
| Mo HfC | MHC | 1,2% Hf/0,05 - 0,12% C |
| Molyレニウム | もっと | 再5,0% |
| Molyのタングステン | MoW20 | 20,0% W |
| Molyのタングステン | MoW505 | 0,0% W |
（1）それは純粋な無公害の表面処理の技術である;
（2）熱活発化および高温度の環境を必要としない、従って工作物の全体寸法そして表面の終わりを変えない;
（3）イオン・インプランテーションの層はイオン ビームと基質の表面間の一連の物理的な、化学相互作用によって形作られる新しい表面層でありそれと基質間に皮をむく問題がない;
（4）はイオン・インプランテーションの後にそこに機械化および熱処理のための必要性ではない。
半導体技術では、イオン・インプランテーションに高精度の線量の均等性および反復性がある。それは速度、収穫および耐用年数を非常に改善するために理想的な添加の集中および統合を、回路の統合得る、ことができ費用およびパワー消費量を減らす。これは化学気相堆積と異なっている。
理想的な変数を、フィルム厚さおよび密度のような得るためには、化学気相堆積は変数を、温度および複雑なプロセスである空気流量のような置く装置を調節する必要がある。
産業制御自動化の急速な開発を用いる半導体の生産工業に加えて、イオン・インプランテーションの技術は金属、製陶術、ガラス、合成物、ポリマー、鉱物および植物の種の改善でまた広く利用されている。
