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純度は目標資料の純度にフィルムの性能の大きい影響があるので、目標資料の主要な性能の索引である。
目標資料の主要な性能要件:
純度は目標資料の純度にフィルムの性能の大きい影響があるので、目標資料の主要な性能の索引である。但し、実用化に、ターゲットの純度の条件は同じではない。例えば、マイクロエレクトロニクスの企業の急速な開発と、シリコン チップのサイズは6"からワイヤーで縛る幅は0.5umから0.25um、0.18umまた更に0.13umに減ったが、12"への8"開発された。以前は、ターゲット純度の99.995%は0.18umラインの準備はターゲット純度の99.999%また更に99.9999%を要求するが0.35um ICのプロセス条件を満たすことができる。
気孔のターゲット固体および酸素および水蒸気の不純物は主要な汚染の源である。異なった目標資料に別の不純物内容のための異なった条件がある。例えば、半導体の企業のための純粋なアルミニウムにそしてアルミ合金 ターゲットにアルカリ金属の内容および放射性元素の内容のための異なった条件がある。
ターゲット固体の気孔率を減らし、放出させたフィルムの特性を改良するために、ターゲットは通常高密度があるように要求される。ターゲットの密度はだけでなく、放出させる率に影響を与えるが、またフィルムの電気および光学的性質に影響を与える。ターゲット密度がより高ければ、よりよいフィルムの性能は。さらに、ターゲットの密度そして強さを高めることはターゲットに放出させるプロセスの熱圧力に抗させるよりよくことができる。密度はまたターゲットの主要なパーフォーマンスの索引である。
通常、目標資料は多結晶性構造であり、結晶粒度はマイクロメートルからミリメートルにである場合もある。同じ一種のターゲットのために、小さい結晶粒度のターゲットの放出させる率は小さい結晶粒度の相違（均一配分）を用いるターゲットによって沈殿するフィルムの厚さの配分は均一であるが、大きい結晶粒度のターゲットのそれより速い。
チタニウムの放出させるターゲット、チタニウムの放出させるターゲット99.95%
さまざまなサイズで利用できてであって下さい
D100x40mm、D65x6.35mm等
| 製品名 | 要素 | Purirty | 融点の℃ | 密度（g/cc） | 利用できる形 |
| 高く純粋なスライバ | Ag | 4N-5N | 961 | 10.49 | ワイヤー、シート、粒子、ターゲット |
| 高く純粋なアルミニウム | Al | 4N-6N | 660 | 2.7 | ワイヤー、シート、粒子、ターゲット |
| 高く純粋な金 | Au | 4N-5N | 1062 | 19.32 | ワイヤー、シート、粒子、ターゲット |
| 高く純粋なビスマス | Bi | 5N-6N | 271.4 | 9.79 | 粒子、ターゲット |
| 高く純粋なカドミウム | CD | 5N-7N | 321.1 | 8.65 | 粒子、ターゲット |
| 高く純粋なコバルト | Co | 4N | 1495 | 8.9 | 粒子、ターゲット |
| 高く純粋なクロム | Cr | 3N-4N | 1890 | 7.2 | 粒子、ターゲット |
| 高く純粋な銅 | CU | 3N-6N | 1083 | 8.92 | ワイヤー、シート、粒子、ターゲット |
| 高く純粋なFerro | Fe | 3N-4N | 1535 | 7.86 | 粒子、ターゲット |
| 高く純粋なゲルマニウム | GE | 5N-6N | 937 | 5.35 | 粒子、ターゲット |
| 高く純粋なインジウム | 5N-6N | 157 | 7.3 | 粒子、ターゲット | |
| 高く純粋なマグネシウム | Mg | 4N | 651 | 1.74 | ワイヤー、粒子、ターゲット |
| 高く純粋なマグネシウム | Mn | 3N | 1244 | 7.2 | ワイヤー、粒子、ターゲット |
| 高く純粋なモリブデン | Mo | 4N | 2617 | 10.22 | ワイヤー、シート、粒子、ターゲット |
| 高く純粋なニオブ | Nb | 4N | 2468 | 8.55 | ワイヤー、ターゲット |
| 高く純粋なニッケル | NI | 3N-5N | 1453 | 8.9 | ワイヤー、シート、粒子、ターゲット |
| 高く純粋な鉛 | Pb | 4N-6N | 328 | 11.34 | 粒子、ターゲット |
| 高く純粋なパラジウム | Pd | 3N-4N | 1555 | 12.02 | ワイヤー、シート、粒子、ターゲット |
| 高く純粋なプラチナ | Pt | 3N-4N | 1774 | 21.5 | ワイヤー、シート、粒子、ターゲット |
| 高く純粋なケイ素 | Si | 5N-7N | 1410 | 2.42 | 粒子、ターゲット |
| 高く純粋な錫 | Sn | 5N-6N | 232 | 7.75 | ワイヤー、粒子、ターゲット |
| 高く純粋なタンタル | Ta | 4N | 2996 | 16.6 | ワイヤー、シート、粒子、ターゲット |
| 高く純粋なテルル | Te | 4N-6N | 425 | 6.25 | 粒子、ターゲット |
| 高く純粋なチタニウム | チタニウム | 4N-5N | 1675 | 4.5 | ワイヤー、粒子、ターゲット |
| 高く純粋なタングステン | W | 3N5-4N | 3410 | 19.3 | ワイヤー、シート、粒子、ターゲット |
| 高く純粋な亜鉛 | Zn | 4N-6N | 419 | 7.14 | ワイヤー、シート、粒子、ターゲット |
| 高く純粋なジルコニウム | Zr | 4N | 1477 | 6.4 | ワイヤー、シート、粒子、ターゲット |
