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Chromium plate放出させる目標資料は銀色の白い光沢がある金属である、純粋なクロムに延性があり、不純物を含んでいるクロムは堅く、壊れやすい。密度は7.19g/cm3である。強いアルカリ解決のSoluble。クロムに高い耐食性があり、酸化はレッド ブルの状態の空気で遅い。水で不溶解性。金属のめっきによる保護
クロムの放出させるターゲット、クロム ターゲットはさまざまなサイズで利用できる
粉末や金によって準備される高い純度のクロムの放出させるターゲットの従来の焼結プロセスは分析され、最大限に活用される。実験結果は示しターゲット密度が「+焼結するか」、押すまたは「冷たい地殻均衡押すこと型が付いている放出させるターゲットの処理によって+ことを効果的に保証することができることを」焼結し、焼結の温度を適度に制御する。
| 等級: | Chromeの放出させるターゲット |
| 純度:99.5%、99.9%、99.95% | |
| クロムの合金 | AlCr、CrAl、CrSi、TiCr等 |
| 密度: | 7.19g/cm3 |
| 形: | 丸型、管の形および版の形。 |
サイズ:
版の放出させるターゲット:
厚さ:0.04から1.40」（1.0から35mm）。
幅20"まで（50から500mm）。
長さ:6.56フィート（100-2000mm）への3.9"
要求される他のサイズ。
シリンダー放出させるターゲット:
3.94 Dia. X 1.58」（100 Dia. X 40mm）
2.56 Dia. X 1.58」（65 Dia. X 40mm）
または63*32mm要求される他のサイズ。
管の放出させるターゲット:
2.76 OD X 0.28の重量x 39.4" L （70 OD X L） 7つの重量x 1000mm
3.46 OD X 0.39の重量x 48.4" L （88 OD X L） 10の重量x 1230mm
要求される他のサイズ。
クロム ターゲットの焼結密度に対する異なった処理方法の効果。機械に押すことの過程において、対面に押すことは形成の代理人およびdeoxidizerなしで採用される。Crリングのターゲット密度は機械に押すことによって78% - 80% +真空の焼結行う;Crの版の放出させるターゲットのターゲット密度は冷たい地殻均衡押すことによって82%以上+真空の焼結行う;転がりの後で、Crの版のターゲット密度は90% - 95%に増加する;Crの合金の放出させるターゲット密度は高温圧縮によって98%以上行う。焼結の時間および温度を最大限に活用することによって、クロム リング ターゲットの焼結の費用は非常に減る。
適用:
1. 金属のクロム純度99% - 99.5%:、サーメット合金の添加物のために使用されて、粉末や金、堅い合金、ダイヤモンド用具、ダイヤモンド プロダクト、電気合金は、芯を取られたワイヤー、溶接材料、アルミ合金の添加物、熱噴霧材料、高温および高い耐久力のある材料、光学コーティング材料、化学製品、等を溶かす。
2. 金属のクロム99.5% - 99.9%の純度:物理的な蒸気沈殿、高温合金、熱い地殻均衡押すクロム ターゲット原料、サーメット、堅い合金の付加、溶接材料、ダイヤモンド用具、レーザーのクラッディング、噴霧、等のために使用される。
3. 金属のクロムの純度は以上99.9%ある;それは宇宙航空材料、蒸気タービン、コーティング ターゲット、等のために使用される。
| タイプ | 適用 | 主要な合金 | 要求 |
| 半導体 | 集積回路のための中心材料の準備 | W. Tungstenのチタニウム（WTI）、4Nか5Nより多くの純度のチタニウム、Ta、Alの合金、CU、等、 |
最も高い技術的要求事項、超高度純度の金属、高精度のサイズ、高い統合
|
| スクリーン表示 | 放出させる技術はフィルムの生産の均等性を保障し、生産性を改善し、そしてコストを削減する | ニオブ ターゲット、ケイ素 ターゲット、Crターゲット、モリブデン ターゲット、MoNbのAlターゲット、アルミ合金 ターゲット、銅ターゲット、銅合金ターゲット |
均等性の高い技術的要求事項、高純度材料、大きく物質的な区域および高度
|
| 飾りなさい | それは耐久性および耐食性の効果を美化するプロダクトの表面のコーティングのために使用される |
クロム ターゲット、チタニウム ターゲット、ジルコニウム（Zr）、ニッケル、タングステン、チタニウム アルミニウム、CRSI、CrTiのcralzr、ステンレス鋼 ターゲット
|
装飾、省エネ、等のために主に使用されて |
| 工具細工 |
用具の表面を増強すれば型は、製造された部品の耐用年数そして質を改善する
|
TiAlターゲット、CrのAlターゲット、Crターゲット、チタニウム ターゲット、錫、tic、Al203、等 | 高性能の条件および長い耐用年数 |
| 太陽光起電 | 第四世代の薄膜の太陽電池の製作のための放出させた薄膜の技術 | 亜鉛酸化アルミニウムターゲット、酸化亜鉛ターゲット、亜鉛アルミニウム ターゲット、モリブデン ターゲット、硫化カドミウム（CDS）ターゲット、銅のインジウム ガリウム セレニウム、等 | 広い適用 |
| 電子付属品 |
フィルムの抵抗およびフィルム キャパシタンスのため
|
NiCrターゲット、NiCrターゲット、Cr Siターゲット、Taターゲット、NiCrのAlターゲット、等 | 小型、よい安定性および小さい抵抗の温度係数は電子デバイスに要求される |
| 情報蓄積 |
磁気記憶ため
|
基づくCr Coは、基づいてCO Fe NI基づかせていた合金を基づいていた | 高い貯蔵密度、高い伝達速度 |
