低い泡の産業化学的清浄/ケイ素切れの洗剤1.01-1.25
産業化学的清浄の紹介
ウエファーの表面の純度はVLSIおよびULSIのケイ素の巧妙な製作のための必要な必要物回路です。ウエファーのクリーニング化学は過去の25年に「標準RCA」。がきれいになるとして残り、本質的に不変に熱いアルカリおよび酸性過酸化水素の解決、知られているプロセスに基づいています持っていますこれは今でも企業で使用される基本的な方法です。変わったものが最大限に活用された装置との実施です:簡単な液浸から遠心噴霧、汚染物の両方フィルムおよび粒子の同時取り外しを可能にする封じられたシステム処理およびmegasonic技術への。イソプロパノールを用いてウエファーの乾燥の改善は蒸発しますまたは熱い脱イオンされた水から「遅い‐の引き抜によって」調査されています。複数の代わりとなる洗浄法はまたコリンの解決、化学蒸気エッチングおよびUV/ozoneの処置を含んで、テストされています。
ファースト・ステップ:きれいな溶媒
溶媒が首尾よくシリコンの薄片の表面からオイルおよび有機性残余を取除くのに使用されています。溶媒が汚染物を取除く間、またウエファーの表面に自身の残余を残します。このような理由で、2溶媒方法がウエファーができるだけきれいであることを保障するのに使用されています。
第2ステップ:RCA-1はきれいになります
溶媒から残りであるどの残余でもきれいなRCAと大事にされます。従ってきれいなRCAはケイ素を酸化させ、ウエファーの表面に酸化物の薄い保護層を提供します。
第3ステップ:フッ化水素酸のすくい
最後の段階はフッ化水素酸のすくいです。HFのすくいがシリコンの薄片の表面から二酸化ケイ素を取除くのに使用されています。HFは非常に危ない化学薬品です、従って重い手袋およびeyewearのような保護ギヤを身に着けている間このステップが行われることは重要です。
CleaningTechnical産業化学変数
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分類
プロジェクト
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2521 |
標準をテストして下さい |
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| 出現 |
黄色がかった液体に無色 |
視覚化 |
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| 比重量 |
1.01-1.25 |
デンシメーター |
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| pH |
12.0-14.0 |
PHの器械 |
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| 自由なアルカリ性（piont） |
≧13.5mg |
CYFC |
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産業化学的清浄の指示
1) 純粋な水を4分の3までクリーニング タンクに入れて下さい、そして、加えて下さい3%の-5%集中の代理店を、加えて下さい事務レベル、最後まで水を、熱して下さい働く温度まで浴室の解決を。
2) ある程度のケイ素切れの油を取り除いた後浴室の解決を完全に変える必要があって下さい。
3) 酸化を避ける空気の露出された時間を減らして下さい。
4) 働く温度50-65の程度、処分の時間:2-5minutes.
ノート
1) 太陽棒は時間にきれいになることができなければsoliquiodに浸る水、必要性または脱脂剤に触れることができません。
2) 避けるために油を取り除くプロセスに空気乾燥させて入って来たらすぐ時間の処分の太陽棒を必要として下さい。
3) 避けるためにdeguming場合空気乾燥させる太陽棒をぬれた保って下さい。
4) 超音波に油を取り除くことが、固定の後でスイッチを始動させるとき片を避けるためには、no1およびno2タンクの泡スイッチを締める必要があって下さい。
5) 1便の周期の油を取り除くことの後でno5.6および7タンクを変える必要があって下さい。
6) ケイ素切れは触れることができません。労働者は手袋を指紋を避けるために使用しなければなりません。
7）整理を達成するためには、degummingの前にケイ素切れ少なくとも30miniutsに吹きかける必要があって下さい。
6. 付加
1) パッキング:20kg/carton （2kg/bottle）、25kg/plasticバレル、1000kg/barrel
2) 妥当性の時間:1年
