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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

中国のYJDNの技術CO.、株式会社の点の製造者は2008年に確立された。香港およびシンセンの最も大きい電子部品のディストリビューターの1つは長期順序に、China.YDJN完全な電子部品の供給を設計鎖サービスに、与えるサービスのフルレンジを提供し、システムを配る。構成の部門は動的機器（ICの集積回路、メモリーチップ、ダイオード、トランジスター、等）および受動の部品（コンデンサー、抵抗器、誘導

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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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BUK7640-100Aの単一118の電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs

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部品番号 :BUK7640-100A、118

製造業者 :Nexperia USA Inc。

記述 :MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK

部門 :単一トランジスター- FETs、MOSFETs -

家族 :単一トランジスター- FETs、MOSFETs -

シリーズ :、AEC-Q101、TrenchMOS™自動車

原産地 :原物

最低順序量 :交渉可能

受渡し時間 :交渉可能

支払の言葉 :T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :100000

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製品の説明を表示

BUK7640-100Aの118の指定

部分の状態	活動的
FETのタイプ	N-Channel
技術	MOSFET （金属酸化物）
流出させなさいに源の電圧（Vdss）	100V
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C	37A （Tc）
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）	10V
Vgs （（最高） Th） @ ID	4V @ 1mA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs	-
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds	2293pF @ 25V
Vgs （最高）	±20V
FETの特徴	-
電力損失（最高）	138W （Tc）
（最高） @ ID、VgsのRds	40 mOhm @ 25A、10V
実用温度	-55°C \| 175°C （TJ）
タイプの取付け	表面の台紙
製造者装置パッケージ	D2PAK
パッケージ/場合	TO-263-3のDの²朴（2つの鉛+タブ）、TO-263AB
郵送物	明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件	新しい元の工場。

BUK7640-100A、包む118

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