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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

中国のYJDNの技術CO.、株式会社の点の製造者は2008年に確立された。香港およびシンセンの最も大きい電子部品のディストリビューターの1つは長期順序に、China.YDJN完全な電子部品の供給を設計鎖サービスに、与えるサービスのフルレンジを提供し、システムを配る。構成の部門は動的機器（ICの集積回路、メモリーチップ、ダイオード、トランジスター、等）および受動の部品（コンデンサー、抵抗器、誘導

Manufacturer from China

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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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RJM0603JSC-00#12電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

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部品番号 :RJM0603JSC-00#12

製造業者 :Renesasの電子工学アメリカ

記述 :MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP

部門 :トランジスター- FETs、MOSFETs -配列

家族 :トランジスター- FETs、MOSFETs -配列

シリーズ :、AEC-Q101自動車

原産地 :原物

最低順序量 :交渉可能

受渡し時間 :交渉可能

支払の言葉 :T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :100000

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製品の説明を表示

RJM0603JSC-00#12指定

部分の状態	活動的
FETのタイプ	3 Nおよび3 P-Channel （3-Phase橋）
FETの特徴	論理のレベルのゲート、4.5Vドライブ
流出させなさいに源の電圧（Vdss）	60V
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C	20A
（最高） @ ID、VgsのRds	20 mOhm @ 10A、10V
Vgs （（最高） Th） @ ID	2.5V @ 1mA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs	43nC @ 10V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds	2600pF @ 10V
パワー最高	54W
実用温度	175°C
タイプの取付け	表面の台紙
パッケージ/場合	20-SOIC （0.433"、11.00mmの幅）露出されたパッド
製造者装置パッケージ	20-HSOP
郵送物	明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件	新しい元の工場。

RJM0603JSC-00#12包装

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