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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

中国のYJDNの技術CO.、株式会社の点の製造者は2008年に確立された。香港およびシンセンの最も大きい電子部品のディストリビューターの1つは長期順序に、China.YDJN完全な電子部品の供給を設計鎖サービスに、与えるサービスのフル レンジを提供し、システムを配る。構成の部門は動的機器（ICの集積回路、メモリー チップ、ダイオード、トランジスター、等）および受動の部品（コンデンサー、抵抗器、誘導

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IGBT力トランジスターNGTB40N120SWG充満山インバーター溶接の破片

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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
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China IGBT力トランジスターNGTB40N120SWG充満山インバーター溶接の破片 wholesale
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IGBT力トランジスターNGTB40N120SWG充満山インバーター溶接の破片
最新の価格を尋ねる
Brand Name :onsemi
Model Number :NGTB40N120SWG
MOQ :Negotiable
Price :Negotiable
Payment Terms :T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Supply Ability :Available Quantity 30000 Pieces
Delivery Time :Negotiable
Product Model :NGTB40N120SWG
Supplier Package :TO-247-3
Brief Description :Insulated Gate Bipolar Transistor
Product Category :IGBT Power Module
Application Areas :Welding
Date Of Manufacture :Within A Year
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製品範囲
  •  Igbt力モジュールのトランジスターNGTB40N120SWG充満山インバーター溶接の破片

Appの特徴

  •  TJmax = 175°C•柔らかく速い逆の回復ダイオード
  •  高速切換えのために最大限に活用される
  •  10私達機能をショートさせるため
  • これらはPb−Free装置である
基本データ
製品特質 属性値
onsemi
製品カテゴリ: IGBTのトランジスター
RoHS: 細部
Si
TO-247-3
穴を通して
単一
1.2 kV
2ボルト
20ボルト
80 A
535 W
- 55 C
+ 175 C
管
ブランド: onsemi
最高連続的なコレクター流れIC: 40 A
ゲート エミッターの漏出流れ: 200 nA
製品タイプ: IGBTのトランジスター
30
下位範疇: IGBTs
単位重量: 1.340411 oz
ダウンロードのデータ用紙
適用
  •  段階、コンサート、ネットワーク コミュニケーション、Smartphonesで広く利用されたノートがアダプターのカメラのドングルに動力を与えるラップトップを錠剤にする
順序プロセス

 

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破片の図表

IGBT力トランジスターNGTB40N120SWG充満山インバーター溶接の破片IGBT力トランジスターNGTB40N120SWG充満山インバーター溶接の破片IGBT力トランジスターNGTB40N120SWG充満山インバーター溶接の破片

商品のタグ：

inverter igbt mma welding

igbt inverter dc tig welder

inverter welding mma250
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