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部分の状態 | 活動的 |
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FETのタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 20V |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 3A (Ta) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 1.8V、4.5V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | - |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 375pF @ 10V |
Vgs (最高) | ±10V |
FETの特徴 | - |
電力損失(最高) | 1W (Ta) |
(最高) @ ID、VgsのRds | 83 mOhm @ 1.5A、4.5V |
実用温度 | 150°C (TJ) |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
製造者装置パッケージ | 3-CPH |
パッケージ/場合 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 |
郵送物 | 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。 |
条件 | 新しい元の工場。 |