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Shenzhen Yudatong Trading Co., Ltd.

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RN1109MFV、L3F

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China RN1109MFV、L3F wholesale
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RN1109MFV、L3F
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カテゴリー :離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大) :100MA
製品の状況 :アクティブ
トランジスタタイプ :前偏りのあるNPN -
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ :テープ&ロール (TR)
シリーズ :-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic :300mV @ 500μA, 5mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :50V
供給者のデバイスパッケージ :VESM
抵抗 - ベース (R1) :47のkOhms
Mfr :トシバ半導体およびストレージ
レジスタ - エミッターベース (R2) :22のkOhms
電流 - コレクターの切断値 (最大) :500nA
パワー - マックス :150 MW
パッケージ/ケース :SOT-723
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce :70 @ 10mA 5V
基本製品番号 :RN1109
記述 :トランスプレビアス NPN 50V 0.1A VESM
ストック :ストック
輸送方法 :LCL,AIR,FCL,エクスプレス
支払条件 :L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
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バイアス式バイポーラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式50V 100mA 150mW 表面マウント VESM
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