カテゴリー :離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大) :100MA
製品の状況 :新しい デザイン の ため の もの で は ない
トランジスタタイプ :PNP - 偏見がある
頻度 - 移行 :250 MHz
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ :テープ&ロール (TR)
シリーズ :-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic :300mV @ 500µA、10mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :50V
供給者のデバイスパッケージ :EMT3
抵抗 - ベース (R1) :10のkOhms
Mfr :ローム半導体
レジスタ - エミッターベース (R2) :4.7キロオーム
電流 - コレクターの切断値 (最大) :500nA
パワー - マックス :150 MW
パッケージ/ケース :SC-75、SOT-416
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce :24 @ 10mA 5V
基本製品番号 :DTA114
記述 :トランスプレビアス PNP 150MW EMT3
ストック :ストック
輸送方法 :LCL,AIR,FCL,エクスプレス
支払条件 :L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
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