Shenzhen Yudatong Trading Co., Ltd.

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時代遅れの LDMOS RF FET 2.3GHz トランジスタ 16W パワー・シャシ 65V デュアル構成

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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時代遅れの LDMOS RF FET 2.3GHz トランジスタ 16W パワー・シャシ 65V デュアル構成

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カテゴリー :離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況 :時代遅れ
マウントタイプ :シャーシマウント
定数電圧 :65ボルト
パッケージ :テープ&ロール (TR)
構成 :双重
シリーズ :-
騒音数 :-
供給者のデバイスパッケージ :NI-780-4
電圧-テスト :28V
Mfr :NXP USA Inc.
頻度 :2.3GHz
利益 :14.6dB
パッケージ/ケース :NI-780-4
現在-テスト :280 mA
電力 - 輸出 :16W
テクノロジー :ldmos
定位電流 (アンプ) :-
基本製品番号 :MRF8
記述 :FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780-4
ストック :ストック
輸送方法 :LCL,AIR,FCL,エクスプレス
支払条件 :L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
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RF モスフェット 28 V 280 mA 2.3GHz 14.6dB 16W NI-780-4
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