Shenzhen Yudatong Trading Co., Ltd.

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時代遅れのLDMOS RF FET 110V 60W 表面マウントトランジスタ 1GHz 18dB RF増幅の増幅

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MrDong Chris
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時代遅れのLDMOS RF FET 110V 60W 表面マウントトランジスタ 1GHz 18dB RF増幅の増幅

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カテゴリー :離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況 :時代遅れ
マウントタイプ :表面マウント
定数電圧 :110V
パッケージ :テープ&ロール (TR)
シリーズ :-
騒音数 :-
供給者のデバイスパッケージ :4-HSOP
電圧-テスト :50V
Mfr :アムプレオン アメリカ 株式会社
頻度 :1GHz
利益 :18dB
パッケージ/ケース :4-BESOP (0.173",4.40mm 幅)
現在-テスト :40mA
電力 - 輸出 :60W
テクノロジー :ldmos
定位電流 (アンプ) :1.4μA
基本製品番号 :BLP10
記述 :RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
ストック :ストック
輸送方法 :LCL,AIR,FCL,エクスプレス
支払条件 :L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
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RF モスフェット 50 V 40 mA 1GHz 18dB 60W 4-HSOP
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