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TOP Electronic Industry Co., Ltd.

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ホーム / 製品 / IGBT Power Module / NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET モジュール 低Rds (オン) 3.3mΩ 急速切換 高周波 低損失 高電源密度 工業用 フォトインバーターおよびモーター駆動 /

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NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET モジュール 低Rds (オン) 3.3mΩ 急速切換 高周波 低損失 高電源密度 工業用 フォトインバーターおよびモーター駆動
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製品の詳細
NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFETモジュール 低Rds(on) 3.3mΩ 高速スイッチング 高周波 低損失 高電力密度 産業グレード PVインバータおよびモータードライブ用 特徴 DIN 43 620パート1～4に準拠した寸法 非絶縁グリップラグ ダブルインジケー...
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