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TOP Electronic Industry Co., Ltd.

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ホーム / 製品 / IGBT Power Module / NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET モジュール 低Rds (オン) 11mΩ 急速切換 高周波 高温 175°C 低損失 産業用 ソーラーおよび産業用駆動装置 /

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NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET モジュール 低Rds (オン) 11mΩ 急速切換 高周波 高温 175°C 低損失 産業用 ソーラーおよび産業用駆動装置
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製品の詳細
NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFETモジュール 低Rds(on) 11mΩ 高速スイッチング 高周波 高温175℃ 低損失 産業グレード ソーラーおよび産業用ドライブ向け​ 特徴 DIN 43 620 Part 1～4に準拠した寸法 鉛フリーコンタクトブレード 0% カ...
製品詳細図 →

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