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TOP Electronic Industry Co., Ltd.

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ホーム / 製品 / IGBT Power Module / IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET 低Rds (オン) 65mΩ 急速スイッチング 高周波 頑丈なボディダイオード 高温操作 TO-264 パッケージ /

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IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET 低Rds (オン) 65mΩ 急速スイッチング 高周波 頑丈なボディダイオード 高温操作 TO-264 パッケージ
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製品の詳細
IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET 低 Rds(on) 65mΩ 高速スイッチング 高周波 堅牢なボディダイオード 高温動作 TO-264 パッケージ 特徴 国際標準パッケージ miniBLOC、窒化アルミニウム絶縁付き 低 RDS(on) および QG アバランシェ定格 ...
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