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Manufacturer from China
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10 年
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SI2304DS、215 Nチャネル 20V 3.7A MOSFET、超低45mΩ RDS(on) SOT-23パッケージ、高性能、効率向上、省スペース設計向けパワーマネジメントおよびロジックレベルゲートドライブ

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SI2304DS、215 Nチャネル 20V 3.7A MOSFET、超低45mΩ RDS(on) SOT-23パッケージ、高性能、効率向上、省スペース設計向けパワーマネジメントおよびロジックレベルゲートドライブ

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モデル番号 :SI2304DS、215
原産地 :中国
最小注文数量 :1
支払い条件 :T/T、ウエスタンユニオン、
供給能力 :1か月あたり1000pcs
納期 :支払いを受け取ってから3〜5営業日
パッケージングの詳細 :最初に元のトレイに詰められ、次にカートン、最後に外側の梱包用のバブルバッグ
関数 :ステップアップ、ステップダウン
出力構成 :正または否定
トポロジー :バック、ブースト
出力タイプ :調整可能
出力数 :1
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SI2304DS,215 Nチャネル 20V 3.7A MOSFET 超低 45mΩ RDS (オン) SOT-23 パッケージ 高性能 効率向上 パワー管理 空間制限設計用 ロジックレベルゲートドライブ

 

特徴

トレンチMOSTM技術

とても速い切り替え

サブミニチュア 表面マウント パッケージ

 

申請

バッテリー管理

高速スイッチ

低電源DCからDC変換器

 

記述

トレンチMOSTM1技術を用いたプラスチックパッケージのNチャネル増強モードフィールド効果トランジスタ

製品利用可能性: SOT23のSI2304DS

 

情報

カテゴリー
Mfr
シリーズ
パッケージ
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
部品のステータス
時代遅れ
FETタイプ
テクノロジー
流出電圧から源電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン)
4.5V,10V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs
117mOhm @ 500mA 10V
Vgs(th) (最大) @ Id
2V @ 1mA
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs
4.6 nC @ 10V
Vgs (最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
195 pF @ 10 V
FET 特徴
-
電力消耗 (最大)
830mW (Tc)
動作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
グレード
-
資格
-
マウントタイプ
表面マウント
供給者のデバイスパッケージ
TO-236AB
パッケージ/ケース

 

図面

SI2304DS、215 Nチャネル 20V 3.7A MOSFET、超低45mΩ RDS(on) SOT-23パッケージ、高性能、効率向上、省スペース設計向けパワーマネジメントおよびロジックレベルゲートドライブ

利点は

  • 高品質の製品 --- 私たちのオファーは100%新品とオリジナルで,ROHSです
  • 競争力のある価格 --- 良い価格の購入チャネル
  • プロフェッショナルなサービス --- 輸送前に厳格な品質テスト,購入後に完璧な販売後のサービス.
  • 十分な在庫 --- 強力な購入チームのサポートで,
  • 迅速な配達 --- 支払いが確認された後,1〜3営業日以内に商品を出荷します.

 

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電子コンポーネントのシリーズ,半導体,アクティブ&パシブコンポーネントの完全な範囲を供給します. 私たちはすべてのPCBのボームを入手するのにあなたを助けることができます.


提案は以下の通りです
統合回路,メモリIC,ダイオード,トランジスタ,コンデンサ,レジスタ,バリスト,フィューズ,トリマー&ポテンチオメーター,トランスフォーマー,バッテリー,ケーブル,リレー,スイッチ,コネクタ,ターミナルブロッククリステル&オシレーター感受器,センサー,トランスフォーマー,IGBTドライバー,LED,LCD,コンバーター,PCB (プリント回路板),PCBA (PCBアセンブリ)

強いブランド:
マイクロチップ,MAX,AD,TI,ATMEL,ST,ON,NS,インターシル,ウィンボンド,ヴィシェイ,ISSI,インフィニオン,NEC,フェアチャイルド,オムロン,YAGEO,TDKなど

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