2つのN+Pチャネル IRF7420TRPBF ±5.3A 20V SOIC-8 MOSFET
基本規格
| 機能 | ステップアップ,ステップダウン |
| 出力構成 | ポジティブ か ネガティブ |
| トポロジー | バック,ブースト |
| 出力型 | 調節可能 |
| 出力数 | 1 |
製品説明
このHEXFET® パワー MOSFETは,SOIC-8パッケージで ±5.3Aの電流と 20Vの電圧の2つのN+Pチャネル構成を備えています.超低 0.045Ω Rds ((オン) と1.8Vの論理レベルで,スペースを節約しながら,電力管理アプリケーションの高速スイッチと高効率を提供します..
特徴
- 先進的なプロセス技術
- 超低抵抗
- 175°C 動作温度
- 速やかに切り替える
- Tjmax まで 繰り返される雪崩
- 鉛のない
申請
- 電力管理モジュール (PMIC):マザーボード,サーバー,ネットワーク機器,携帯電子機器でロードスイッチやDC-DCコンバーターに使用される.
- モーター駆動と制御:ロボットや自動化機器の小型から中等功率直流モーターを駆動するのに最適です
- バッテリー駆動装置:スマートフォン,タブレット,医療機器でバッテリー保護と管理に使用されます.
- シグナルスイッチング&マルチプレックス:試験機器およびデータ収集システムにおける信号のルーティングに適用できる.
テクニカル仕様
| カテゴリー | 離散半導体製品>トランジスタ>FET,MOSFET |
| 製造者 | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | HEXFET® |
| パッケージ | テープ&リール (TR) カットテープ (CT) ディジリール® |
| 部品のステータス | 時代遅れ |
| FETタイプ | Pチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 12V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 1.8V,4.5V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 11.5A,4.5V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 900mV @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 38 nC @ 4.5 V |
| Vgs (最大) | ±8V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3529 pF @ 10 V |
| 電力消耗 (最大) | 2.5W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | 8-SO |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154",3.90mm 幅) |
| 基本製品番号 | IRF7420 |
製品図
わたしたち の 利点
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製品ポートフォリオ
私たちは半導体,アクティブ・パシブ・コンポーネントを含む 電子部品の全範囲を供給しています.
入手可能な部品
- 統合回路
- メモリIC
- ダイオード
- トランジスタ
- コンデンサ
- レジスタ
- バリスター
- ファイューズ
- トリマーとポテンチオメーター
- トランスフォーマー
- バッテリー
- ケーブル
- リレー
- スイッチ
- コネクタ
- ターミナルブロック
- 結晶と振動器
- 誘導器
- センサー
- IGBTドライバー
- LED,LCD
- 変換機
- PCB (印刷回路板)
- PCBA (PCB組)
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