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| 属性 | 価値 |
|---|---|
| 機能 | ステップアップ,ステップダウン |
| 出力構成 | ポジティブ か ネガティブ |
| トポロジー | バック,ブースト |
| 出力型 | 調節可能 |
| 出力数 | 1 |
FM24CL04B-G 4Kb 5V FRAM 無制限耐久性 150ns 無遅れ書き込み 1MHz I2C インターフェース 10^14 読書/書き込みサイクル 低 50 μA 待機電流と40年間のデータ保存
FM24CL04Bは,高度なフェロー電気プロセスを採用した4Kbitの非揮発性メモリである.フェロー電気ランダムアクセスメモリまたはF-RAMは,非揮発性であり,RAMに似た読み書きを行う.複雑さをなくして 151 年間信頼性の高いデータ保存を可能にしますEEPROM や他の非揮発性メモリによって引き起こされる,オーバーヘッド,およびシステムレベルの信頼性の問題.
EEPROMとは異なり,FM24CL04Bはバス速度で書き込み操作を行う.書き込み遅延が発生しない.データがメモリ配列に書き込まれます 各バイトがデバイスに成功裏に転送された直後に. 次のバスのサイクルはデータ・ポリングの必要なしに開始できます. さらに,この製品は他の非揮発性メモリと比較して実質的な書き込み耐久性を提供します.また,F-RAMは,書き込み回路の書き込み操作には内部的に電源電圧が上昇する必要がないため, EEPROMよりも書き込み中にはるかに低い電力を発揮する.FM24CL04Bは 10 台に対応できる14EEPROMよりも100百万回以上の読み書きサイクルです
これらの機能により,FM24CL04Bは,頻繁または迅速な書き込みを必要とする非揮発性メモリアプリケーションに理想的です.例は,書き込みサイクルの数が重要な場合のデータログから範囲です.,EEPROM の長時間書き込み時間がデータ損失を引き起こす場合,要求の高い産業用制御に対応する.機能の組み合わせにより,システムに対するオーバーヘッドが少なくなるより頻繁なデータ書き込みが可能です.
FM24CL04Bは,ハードウェアのドロップイン代替としてシリアル (I2C) EEPROMのユーザーに実質的な利点を提供します.装置の仕様は,産業用温度範囲 -40°C~+85°Cで保証されます.
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| カテゴリー | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | F-RAMTM |
| パッケージ | トューブ |
| 部品のステータス | アクティブ |
| DigiKey プログラム可能 | 確認されていない |
| メモリタイプ | 不揮発性 |
| メモリ形式 | FRAM |
| テクノロジー | FRAM (フェロー電気RAM) |
| メモリサイズ | 4Kbit |
| 記憶 の 組織 | 512 × 8 |
| メモリインターフェース | I2C |
| 時計の周波数 | 1 MHz |
| サイクルの時間 - 単語,ページ | - |
| アクセス時間 | 550 ns |
| 電圧 - 供給 | 2.7V~3.6V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154",3.90mm 幅) |
| 供給者のデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| 基本製品番号 | FM24CL04 |
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