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IPA60R360P7SXKSA1 600V CoolMOS™ 360mΩ RDS(on) 11A 電流 超低スイッチング損失 高効率 堅牢なESD保護 TO-220 パッケージ SMPS & 産業用アプリケーション向け
特徴
•優れた整流堅牢性により、ハードスイッチングおよびソフトスイッチング（PFCおよびLLC）に適しています
•スイッチング損失と伝導損失の大幅な削減
•優れたESD耐性>2kV（HBM）すべての製品
•低RDS(on)*A（1Ohm*mm²未満）により、競合他社と比較して優れたRDS(on)/パッケージ製品を実現
利点
•リンギング傾向が低く、PFCおよびPWMステージ全体で使用できるため、使いやすく、設計が容易
•低スイッチング損失と伝導損失による熱管理の簡素化
•>2kVESD保護による小型フットプリントと高い製造品質の製品を使用することで、電力密度ソリューションを向上•幅広いアプリケーションと電力範囲に適しています
潜在的なアプリケーション
PFCステージ、ハードスイッチングPWMステージ、共振スイッチングステージ（例：PCSilverbox、アダプター、LCD&PDPTV、照明、サーバー、テレコム、UPS）
製品検証
JEDEC規格に準拠
MOSFET
600V CoolMOSª P7パワーデバイス
CoolMOS™第7世代プラットフォームは、Infineon Technologiesが先駆けて開発したスーパージャンクション（SJ）原理に基づいて設計された、高電圧パワーMOSFETの革新的な技術です。600V CoolMOS™P7シリーズは、CoolMOS™P6シリーズの後継です。高速スイッチングSJMOSFETの利点と、使いやすさ（非常に低いリンギング傾向、ハード整流に対する優れたボディダイオードの堅牢性、優れたESD性能など）を兼ね備えています。さらに、非常に低いスイッチング損失と伝導損失により、スイッチングアプリケーションはさらに効率的で、よりコンパクトになり、はるかに低温になります。
情報
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カテゴリ
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メーカー
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シリーズ
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パッケージング
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チューブ
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部品ステータス
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アクティブ
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FETタイプ
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テクノロジー
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ドレイン-ソース間電圧（Vdss）
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600 V
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電流 - 連続ドレイン（Id）@ 25°C
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駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
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10V
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Rdsオン（最大）@ Id、Vgs
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360mOhm @ 2.7A、10V
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Vgs(th)（最大）@ Id
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4V @ 140µA
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ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
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13 nC @ 10 V
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Vgs（最大）
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±20V
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入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
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555 pF @ 400 V
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FET機能
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-
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消費電力（最大）
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22W（Tc）
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動作温度
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-40°C ~ 150°C（TJ）
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グレード
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認定
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-
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取り付けタイプ
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スルーホール
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サプライヤデバイスパッケージ
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PG-TO220-FP
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パッケージ/ケース
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基本製品番号
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図面
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2. 通信アンテナ、RF同軸ケーブル、RFコネクタ、端子の製造。
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