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IRF7342TRPBF デュアル 55V 6.5A MOSFET ペア、50mΩ RDS(on) 高速スイッチング 低ゲート電荷 SOIC-8 パッケージ ESD 保護 & DC-DC/同期整流に最適
特徴
第 V 世代テクノロジー
超低オン抵抗
デュアル P チャネル MOSFET
表面実装
テープ & リールで利用可能
動的 dv/dt 定格
高速スイッチング
鉛フリー
説明
International Rectifier の第 5 世代 HEXFET は、高度な処理技術を利用して、シリコン面積あたりの非常に低いオン抵抗を実現しています。この利点は、HEXFET パワー MOSFET が得意とする高速スイッチング速度と堅牢なデバイス設計と組み合わされ、設計者に非常に効率的で信頼性の高いデバイスを提供し、さまざまな用途で使用できます。
SO-8 は、熱特性を向上させ、マルチダイ機能を備えるようにカスタマイズされたリードフレームによって変更されており、さまざまな電力用途に最適です。これらの改善により、複数のデバイスをアプリケーションで使用して、基板スペースを大幅に削減できます。このパッケージは、蒸気相、赤外線、またはウェーブはんだ付け技術用に設計されています。一般的な PCB マウントアプリケーションでは、0.8W を超える電力損失が可能です。
アプリケーション
電力変換システム
同期整流 DC-DC コンバータ
バック/ブースト電圧レギュレータ
高効率スイッチングモード電源 (SMP)
モーター制御アプリケーション
小型 BLDC モータードライブ
精密ステッピングモーター制御
低電圧サーボシステム
バッテリー管理システム
リチウム電池の充電/放電保護
電力パス管理 (OR-ing)
モバイルデバイスの電力スイッチング
車載電子システム
車載 DC-DC 変換モジュール
補助電力管理システム
車載照明ドライバー
産業用オートメーション機器
PLC 出力モジュール
産業用制御電源
低電圧モータードライバー
情報
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カテゴリ
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メーカー
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Infineon Technologies
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シリーズ
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パッケージング
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テープ & リール (TR)
カットテープ (CT)
Digi-Reel®
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部品ステータス
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アクティブ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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構成
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2 P チャネル (デュアル)
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FET 特徴
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ロジックレベルゲート
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ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
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55V
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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3.4A
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Rds On (最大) @ Id, Vgs
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105mOhm @ 3.4A, 10V
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Vgs(th) (最大) @ Id
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1V @ 250µA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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38nC @ 10V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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690pF @ 25V
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電力 - 最大
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2W
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動作温度
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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実装タイプ
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表面実装
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パッケージ / ケース
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8-SOIC (0.154", 3.90mm 幅)
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サプライヤデバイスパッケージ
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8-SO
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基本製品番号
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図面
当社の利点：
あらゆる種類のコンポーネントに対するお客様のニーズを満たすことを確認してください。^_^
製品リスト
一連の電子部品、半導体、アクティブおよびパッシブコンポーネントの全範囲を提供します。PCB の BOM をすべて入手できます。つまり、ここでワンストップソリューションを入手できます。
オファーには以下が含まれます:
集積回路、メモリ IC、ダイオード、トランジスタ、コンデンサ、抵抗器、バリスタ、ヒューズ、トリマー & ポテンショメータ、トランス、バッテリー、ケーブル、リレー、スイッチ、コネクタ、端子台、水晶 & 発振器、インダクタ、センサー、トランス、IGBT ドライバ、LED、LCD、コンバータ、PCB (プリント基板)、PCBA (PCB アセンブリ)
強力なブランド:
Microchip、MAX、AD、TI、ATMEL、ST、ON、NS、Intersil、Winbond、Vishay、ISSI、Infineon、NEC、FAIRCHILD、OMRON、YAGEO、TDK など
