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HMC849ALP4CE 24 Gbps 高速SPDTスイッチ 低挿入損失 3.3V/5V 操作 幅広く 高隔離 急速スイッチ&ESD保護

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HMC849ALP4CE 24 Gbps 高速SPDTスイッチ 低挿入損失 3.3V/5V 操作 幅広く 高隔離 急速スイッチ&ESD保護

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型番 :HMC849ALP4CE
産地 :中国
最低注文量 :1pcs
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HMC849ALP4CE 24 Gbps 高速SPDTスイッチ 低挿入損失 3.3V/5V 操作 幅広く 高隔離 急速スイッチ&ESD保護

 

特徴

高隔離:最大60dB

単一の正点制御: 0/+3Vから+5V

高入力IP3: +52dBm

反射 しない デザイン

全開いてる

16鉛 4x4mm QFN パッケージ: 16mm2

 

典型的な用途

HMC849ALP4CEは,以下に最適です.

• 携帯電話/4Gインフラ

• WiMAX,WiBro,固定無線

• 自動車用テレマティック

• モバイル ラジオ

• 試験 装置

 

一般説明

HMC849ALP4CEは,低コストの無鉛表面マウントパッケージで,高隔離性非反射 DCから6 GHz GaAs pHEMT SPDTスイッチです.このスイッチは,携帯電話/WiMAX/4Gインフラストラクチャのアプリケーションに最適で,最大60dBの隔離を可能にします.低 0.8 dB 挿入損失と + 52 dBm 入力 IP3 5 - 6 GHz WiMAX バンドでパワー処理は優れたもので,スイッチは + 31 dBm の P1dB 圧縮点を提供しています.オンチップ回路では,非常に低いDC電流で0/+3Vまたは0/+5Vの単一の正電圧制御が可能. 論理高に設定された有効入力 (EN) はスイッチを"all off"状態にします.

 

情報

カテゴリー
製造者
アナログ・デバイスズ
シリーズ
-
パッケージ
ストライプ
部品のステータス
アクティブ
RFタイプ
一般的な目的
トポロジー
-
サーキット
SPDT
周波数範囲
0Hz ~ 6GHz
孤立
56dB
挿入損失
1dB
試験頻度
4GHz
P1dB
33dBm
IIP3
52dBm
特徴
-
阻力
50オム
電圧 - 供給
3V~5V
動作温度
-40°C ~ 85°C
マウントタイプ
表面マウント
パッケージ/ケース
16-VQFN 露出パッド
供給者のデバイスパッケージ
16-QFN (4x4)
基本製品番号

 

図面

HMC849ALP4CE 24 Gbps 高速SPDTスイッチ 低挿入損失 3.3V/5V 操作 幅広く 高隔離 急速スイッチ&ESD保護

 

 

 

 

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