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AON7534 30V NチャネルMOSFET 10.5mandOmega; Rds(on) 60A連続 DFN5x6-8L -55anddeg;C～+175anddeg;C AEC-Q101
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概要
andbull; トレンチパワーMOSFET技術
andbull; 4.5VGSでの非常に低いRDS(on)
andbull; 低ゲート電荷
andbull; 高電流容量
andbull; RoHSおよびハロゲンフリー準拠
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アプリケーション
andbull; コンピューティング、サーバー、POLのDC/DCコンバーター
andbull; 通信および産業用の絶縁DC/DCコンバーター
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特徴
高効率電力スイッチング
andnbsp; 30Vドレイン-ソース電圧：12V/24V電源システムに最適
andnbsp; 60A連続電流（100Aパルス）：高電力負荷駆動をサポート
超低導通損失
andnbsp; Rds(on)= 10.5m2 (Vgs=10V)：電力損失を最小限に抑え、効率を向上
高周波スイッチングの最適化
andnbsp; 低ゲート電荷（Qg=38nC）：高周波PWM制御（最大1MHz）を可能にする
andnbsp; 高速スイッチング：立ち上がり/立ち下がり時間<20ns
信頼性と保護
andnbsp; 100%アバランシェテスト済み：極端な条件下での安定性を確保
AEC-Q101認証：車載グレードの信頼性基準に適合
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最高の電力密度：DFN5x6-8LパッケージはTO-220より80%小さい
優れた効率：15mQ MOSFETと比較して30%低い導通損失
広い温度範囲：-55℃～+175℃の過酷な環境に対応
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情報
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カテゴリ
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メーカー
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シリーズ
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パッケージング
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テープ＆リール（TR）
カットテープ（CT）
Digi-Reelandreg;
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ステータス
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新規設計には不向き
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FETタイプ
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テクノロジー
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ドレイン-ソース間電圧（Vdss）
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30 V
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電流 - 連続ドレイン（Id）@ 25anddeg;C
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駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
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4.5V、10V
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Rdsオン（最大）@ Id、Vgs
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5mOhm @ 20A、10V
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Vgs(th)（最大）@ Id
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2.2V @ 250andmicro;A
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ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
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22 nC @ 10 V
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Vgs（最大）
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andplusmn;20V
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入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
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1037 pF @ 15 V
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FET機能
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消費電力（最大）
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3W（Ta）、23W（Tc）
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動作温度
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-55anddeg;C ～ 150anddeg;C（TJ）
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グレード
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認定
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実装タイプ
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表面実装
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サプライヤデバイスパッケージ
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8-DFN-EP（3x3）
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パッケージ/ケース
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基本製品番号
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図面
当社の利点：
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あらゆる種類のコンポーネントに対するお客様のニーズを満たすことを確認してください。^_^
製品リスト
一連の電子部品、半導体、アクティブおよびパッシブコンポーネントの全範囲を提供します。PCBのBOMをすべて入手できます。つまり、ここでワンストップソリューションを入手できます。
提供内容：
集積回路、メモリIC、ダイオード、トランジスタ、コンデンサ、抵抗器、バリスタ、ヒューズ、トリマー＆ポテンショメータ、トランス、バッテリー、ケーブル、リレー、スイッチ、コネクタ、端子台、水晶発振器、インダクタ、センサー、トランス、IGBTドライバ、LED、LCD、コンバータ、PCB（プリント基板）、PCBA（PCBアセンブリ）
強力なブランド：
Microchip、MAX、AD、TI、ATMEL、ST、ON、NS、Intersil、Winbond、Vishay、ISSI、Infineon、NEC、FAIRCHILD、OMRON、YAGEO、TDKなど
