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TOP Electronic Industry Co., Ltd.

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ホーム / 製品 / Integrated Circuit Components / MJD127G 5A 100V PNP ダリングトントランジスタ TO-252 (DPAK) 1V VCE (sat) @ 3A, hFE 1000min -55°Cから+150°C AEC-Q101 /

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MJD127G 5A 100V PNP ダリングトントランジスタ TO-252 (DPAK) 1V VCE (sat) @ 3A, hFE 1000min -55°Cから+150°C AEC-Q101
MJD127G 5A 100V PNP ダリングトントランジスタ TO-252 (DPAK) 1V VCE (sat) @ 3A, hFE 1000min -55°Cから+150°C AEC-Q101
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  • MJD127G 5A 100V PNP ダリングトントランジスタ TO-252 (DPAK) 1V VCE (sat) @ 3A, hFE 1000min -55°Cから+150°C AEC-Q101
  • MJD127G 5A 100V PNP ダリングトントランジスタ TO-252 (DPAK) 1V VCE (sat) @ 3A, hFE 1000min -55°Cから+150°C AEC-Q101
製品の詳細
MJD127G そして 特徴 プラスチック製のマウント用の表面用用途のために形成された鉛 とbull; 2N6040とマイナス;2N6045シリーズ,TIP120とマイナス;TIP122シリーズとTIP125とマイナス;TIP127シリーズのための表面マウント交換 基底とマイナスに シャント抵抗を放...
製品詳細図 →

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