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TOP Electronic Industry Co., Ltd.

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ホーム / 製品 / Integrated Circuit Components / MJD127G 5A 100V PNP ダリングトントランジスタ TO-252 (DPAK) 1V VCE (sat) @ 3A, hFE 1000min -55°Cから+150°C AEC-Q101 /

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MJD127G 5A 100V PNP ダリングトントランジスタ TO-252 (DPAK) 1V VCE (sat) @ 3A, hFE 1000min -55°Cから+150°C AEC-Q101
MJD127G 5A 100V PNP ダリングトントランジスタ TO-252 (DPAK) 1V VCE (sat) @ 3A, hFE 1000min -55°Cから+150°C AEC-Q101
  • MJD127G 5A 100V PNP ダリングトントランジスタ TO-252 (DPAK) 1V VCE (sat) @ 3A, hFE 1000min -55°Cから+150°C AEC-Q101
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  • MJD127G 5A 100V PNP ダリングトントランジスタ TO-252 (DPAK) 1V VCE (sat) @ 3A, hFE 1000min -55°Cから+150°C AEC-Q101
  • MJD127G 5A 100V PNP ダリングトントランジスタ TO-252 (DPAK) 1V VCE (sat) @ 3A, hFE 1000min -55°Cから+150°C AEC-Q101
製品の詳細
MJD127G 特徴 • プラスチック カーブ の 表面 に 設置 する 用途 に 用い られ た 鉛 • 2N6040−2N6045シリーズ,TIP120−TIP122シリーズ,およびTIP125−TIP127シリーズのための表面マウント交換 • 基底 に エミター シャント 抵抗 が 組み込まれ ...
製品詳細図 →

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