半導体ウェーハクリーナー、超音波アルカリ洗浄 + 超音波酸性洗浄 + 純水リンス
主な技術的優位性
I. 三槽グラデーション洗浄システム
1. 超音波アルカリ洗浄槽 (pH 10-13)
技術パラメータ:
• 周波数: 80kHz/120kHz デュアル周波数切り替え (パルス超音波対応) • 槽材質: 改質PTFEライナー + 316Lステンレス鋼フレーム (130℃耐熱性、NaOH / アンモニア耐食性)
• 洗浄媒体: 水酸化カリウム (KOH)、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド (TMAH) などのアルカリ溶液
主な機能: ✔ レジスト残渣の効率的な剥離: キャビテーション効果により接着膜の分子結合を破壊し、50〜80℃の恒温制御と合わせて、15分以内にSU-8 / ポジ型レジストを99.9%除去 ✔ 粒子状汚染物質の捕捉: ミクロンサイズのPPカートリッジ (5μm) + 磁気フィルター (Fe/Coなどの金属粒子を捕捉) を内蔵 ✔ 洗浄廃液のリアルタイムろ過
2. 超音波酸性洗浄槽 (pH 1-3)
技術パラメータ:
• 周波数: 850kHz MF超音波 (キャビテーション閾値 > 200μm、液体衝撃による損傷を回避)
• 槽材質: パーフルオロアルコキシ樹脂 (PFA) ライナー (HF耐性)。 PFA) ライナー (HF/HNO₃混合酸耐性)
• 洗浄媒体: BOEバッファ酸化エッチング液 (HF:NH₄F=1:6)、王水 (HNO₃:HCl=1:3)
主な機能:
✔ 金属イオン除去の深さ ✔ 表面粗さ制御: Al/Cu電極残渣に対して、酸エッチング + 超音波振動により、Na⁺/K⁺残渣を
<10¹⁰ atoms/cm²✔ 表面粗さ制御: 超音波パワーを動的に調整 (50-300W)、温度制御の精度±0.5℃と合わせて、ウェーハ表面Ra値≤0.2nmを保証
3. 純水メガソニックリンス槽 (抵抗率≥18.2MΩ・cm)
技術パラメータ:
• 周波数: 850kHz MF超音波 (キャビテーション閾値 > 200μm、液体衝撃による損傷を回避)
• 水質モニタリング: オンラインTOC検出器 (検出精度≤5ppb) + 粒子カウンター (0.1μm粒子サイズ検出)
• リンス方法: 向流リンス (純水利用率85%に向上) + メガソニックキャビテーション (サブミクロン粒子の剥離)
主な特徴:
✔ 残留物のない清浄度: DI水三段階ろ過 (活性炭 + RO膜 + ポリッシング樹脂) を採用し、50L/minのオーバーフロー率で、TOC残留を実現
<10ppb within 10 minutes✔ エッジエンハンスドクリーニング: 特許取得済みの回転スプレーアーム (速度0-300rpm調整可能) により、ウェーハエッジの1mmエリアの洗浄死角を解決
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