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UDEL Chips Tech Co., Ltd.
シティ:
shenzhen
国/地域:
china
連絡窓口:
MissGrace Liang
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NGTG15N60S1EG
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ゲート・エミッター漏れ電流 :
100 nA
製品カテゴリー :
IGBTトランジスタ
マウントスタイル :
穴を抜ける
25°Cの連続電流 :
30 A
Pd -電力損失 :
47W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス :
600V
パッケージ/ケース :
TO-220
パッケージ :
トューブ
ゲートエミッター最大電圧 :
20V
コレクター・エミッター 飽和電圧 :
1.95 V
メーカー :
一半
記述 :
IGBT トランジスタ 15A 600V IGBT
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商品のタグ:
THS3115ID
MMUN2215LT1G
L2726013TR
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