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UDEL Chips Tech Co., Ltd.

シティ：shenzhen

国/地域：china

連絡窓口：MissGrace Liang

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STGP30H65F

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ゲート・エミッター漏れ電流 :250nA

製品カテゴリー :IGBTトランジスタ

マウントスタイル :穴を抜ける

25°Cの連続電流 :60 A

Pd -電力損失 :260 W

コレクター-エミッター電圧 VCEO マックス :650ボルト

パッケージ/ケース :TO-220-3

最大動作温度 :+ 175 C

ゲートエミッター最大電圧 :+/- 20ボルト

パッケージ :トューブ

設定 :シングル

コレクター・エミッター飽和電圧 :2.4 V

メーカー :STMマイクロ電子機器

記述 :IGBT トランジスタトレンチ gte フィールドストップ IGBT 600V 30A

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STGP30H65Fは,STMmicroelectronicsから,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!

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