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IXBF55N300
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ゲート・エミッター漏れ電流 :+/- 200 nA
製品カテゴリー :IGBTトランジスタ
マウントスタイル :穴を抜ける
25°Cの連続電流 :86A
Pd -電力損失 :357 W
コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス :3つのKV
パッケージ/ケース :ISOPLUS i4-Pak-3について
最大動作温度 :+150C
ゲートエミッター最大電圧 :+/- 25V
設定 :シングル
コレクター・エミッター 飽和電圧 :2.7 V
メーカー :IXYS
記述 :IGBT トランジスタ 高電圧 高増幅 BIMOSFET
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HEF4001BT

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