Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd

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高周波スイッチ電源のための低い電力の損失の高性能のショットキー ダイオード

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シティ:dongguan
省/州:guangdong
国/地域:china
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高周波スイッチ電源のための低い電力の損失の高性能のショットキー ダイオード

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型式番号 :ショットキーダイオード
原産地 :トンコワン中国
最低順序量 :交渉
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :1ヶ月あたりの2000000
受渡し時間 :交渉
包装の細部 :輸出パッケージ/交渉
タイプ :ショットキー ダイオード
特徴 :共通の陰極の構造
材料 :ケイ素
最高。前方流れ :30A、30A
最高。前方電圧 :0.9V、0.9V
最高。逆電圧 :200V
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高周波スイッチ電源用の低電力損失高効率ショットキー ダイオード

MBR10100.pdf


ショットキーダイオードは、発明者のショットキー博士(Schottky)にちなんで名付けられており、SBDはショットキーバリアダイオード(Schottky Barrier Diode、略称SBD)の略称です。SBDは、P型半導体とN型半導体を接触させてPN接合を形成する原理ではなく、金属と半導体を接触させて形成される金属半導体接合の原理を利用して作られています。したがって、SBDは金属半導体(接触)ダイオードまたは表面バリアダイオードとも呼ばれ、ホットキャリアダイオードの一種です。


特徴

1. カソード共通構造
2. 低電力損失、高効率
3. 高い動作ジャンクション温度
4.過電圧保護用のガードリング、高信頼性
5.RoHS対応品

アプリケーション

1. 高周波スイッチ 電源

2. フリーホイールダイオード、極性保護用途

主な特徴

IF(AV)

10(2×5)A

VF(最大)

0.7V (@Tj=125℃)

ティ

175℃

VRRM

100V

製品メッセージ

モデル

マーキング

パッケージ

MBR10100

MBR10100

TO-220C

MBRF10100

MBRF10100

TO-220F

MBR10100S

MBR10100S

TO-263

MBR10100R

MBR10100R

TO-252

MBR10100V

MBR10100V

TO-251

MBR10100C

MBR10100C

TO-220

絶対定格(Tc=25℃)

パラメータ

シンボル

価値

ユニット

繰り返しピーク逆電圧

VRRM

100

V

最大DC阻止電圧

VDC

100

V

平均順電流

TC=150℃(TO-220/263/252)TC=125℃(TO-220F)

デバイスごと

ダイオードあたり

IF(AV)

10 5

サージ非繰り返し順電流 8.3 ms 単一半正弦波 (JEDEC 方式)

IFSM

120

最大ジャンクション温度

ティ

175

保存温度範囲

TSTG

-40~+150


高周波スイッチ電源のための低い電力の損失の高性能のショットキー ダイオード
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