Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd

広東省Uchiの電子工学Co.、株式会社 2006年以来のバリスター、サーミスター、コンデンサー、ヒューズ及び抵抗器の製造業者!

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大きい流れの32D751K NTCのサーミスターの侵入の現在の制限

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シティ:dongguan
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MissAnna
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大きい流れの32D751K NTCのサーミスターの侵入の現在の制限

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型式番号 :32D751K
最低順序量 :1000PCS
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :1ヶ月あたりの10000000PCS
受渡し時間 :7-10日
包装の細部 :大きさ
名前 :NTCのサーミスター
シリーズ :32D751K
現在の漏出 :≦30(μA)
最大許容電圧 :AC: 460(V) DC: 615(V)
出現 :ひびなしで、印は明確なべきである
部品番号。 :UCHI-32D751K+Teflonwire
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大きい現在の32D751KのNTCのサーミスターの侵入の現在の制限

 

 

 
広東省Uchiの電子工学Co.、株式会社  
承認のための指定
Rev1.0 指定 いいえ。
部分
いいえ。
UCHI-32D751K+Teflonwire 4の1ページ
日付:2022 12 8
               
1.OUTLINE
1.1 出現 ひびなしで、印は明確なべきである
1.2 次元 次元(mm)
大きい流れの32D751K NTCのサーミスターの侵入の現在の制限 D (最高) 36
H (最高) 40
K (最高) 4.0
T (最高) 9.4
d (±0。1) 1.3
d1 (±0.1) 1.0
F (±1.5) 20
L (分) 35
エポキシ色:青
 
2.ELETRICAL変数
2.1 MAXの正当な電圧 AC:460 (V) 1mA DC
DC:615 (V)
2.2 バリスターの電圧 675-825 (V) V0. 1mA□ V1mAの■
2.3 評価されるワット数 1.2 (W)  
2.4 電圧を締め金で止めるMAX IP:200 (A) テスト現在の波形
μs 8/20の
Vc:1240 (V)
2.5 サージの抗
流れ
1Time 25000A テスト現在の波形
μs 8/20の
2time 2000A
2.6 MAXエネルギー 620 (J) テスト現在の波形
μs 10/1000の
2.7 典型的なキャパシタンス 2000年(pf) @1KHz
2.8 漏出流れ ≦30 (μA) バリスターの電圧の80%
2.9 非線形説明者(α) ≧20   大きい流れの32D751K NTCのサーミスターの侵入の現在の制限α=logの丸太
2.10 温度COEFFICENT
バリスターの電圧の
≦ ±0.05%/C
最高
Vc85C-Vc25C 1
Vcat25Cの× 60の× 100 (%C)
2.11 衝動の生命 ≦±10% (V1mA) テスト現在の波形8/20のμs
広東省Uchiの電子工学Co.、株式会社

指定のための

承認
Rev1.0 指定 いいえ。
部分
いいえ。
UCHI-32D751K (Teflonwire) ページ:2 4の
日付:2022年。12。8
               
3.PACKING
3.1 100PCS
3.2 パッキング次元     大きい流れの32D751K NTCのサーミスターの侵入の現在の制限 LP LP 240max
HP 最高60
WP 180max
単位:mm
4.MATERIALリスト
4.1 デッサン 大きい流れの32D751K NTCのサーミスターの侵入の現在の制限 T E-F l o n w I r e
4.2 物質的な図表RoHs 項目 構成 製造業者
コーティング エポキシ樹脂 中国製、およびUL 94-V0と一直線に
テストして、環境要求事項を満たしなさい
CPワイヤー 中国製、環境に会いなさい
条件
電極 中国製、環境に会いなさい
条件
ディスク 酸化亜鉛 LLC上のジッパー
はんだ Sn:96.5%CU
0.5%Ag3.0%
中国製、環境に会いなさい
条件
5. 示すコード
  大きい流れの32D751K NTCのサーミスターの侵入の現在の制限
広東省Uchiの電子工学Co.、株式会社

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部分
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UCHI-32D751K (Teflonwire ページ:3 4の
日付:2022年。12。8
UL   CUL   VDE   CQC  
6.MECHENICAL条件
6.1 終了の抗張 顕著無し
損傷
1.0Kgf;10Sec.
6.2 終了の曲がること 顕著無し
損傷
0.5Kgf;90°、3回
6.3 振動 顕著無し
損傷
Freq:10-55hz;Amp:0.75mm、1Min
6.4 Solderability のMin. 95%
ターミナルはあるべきである
で覆われる
均一のはんだ
はんだの臨時雇用者:265±5C
浸された時間:≤5Sec.
6.5 はんだ付けする熱の抵抗 △V1mA/V1mA
≦±5%
はんだの臨時雇用者:265±5C
浸された時間:10±1Sec.
7.ENVIRONMENTAL条件
7.1 高温貯蔵 △V1mA/V1mA
≦±5%
包囲された臨時雇用者:125±2C
持続期間:1000h
7.2 低温の貯蔵 △V1mA/V1mA
≦±5%
包囲された臨時雇用者:-40±2C
持続期間:1000h
7.3 高湿度の貯蔵/湿気
△V1mA/V1mA
≦±5%
包囲された臨時雇用者:40±2C 90-95%
R.H. Duration:1000h
7.4 温度周期 △V1mA/V1mA
≦±5%
ステップ 温度
(c)
期間
(分)
1 -40±3 30 ±3
2 部屋の臨時雇用者 15 ±3
3 125±3 30 ±3
4 部屋の臨時雇用者 15 ±3
7.5 高温負荷 △V1mA/V1mA
≦±10%
包囲された臨時雇用者:85±2C
持続期間:1000h負荷:MAX.
正当な電圧
7.6 高湿度の負荷 △V1mA/V1mA
≦±10%
包囲された臨時雇用者:40±2C
90-95%R.H.Duration:1000H
負荷:MAX.正当な電圧
7.7 実用温度範囲 -40C | +85C -40C | +85C
7.8 保管温度の範囲 -40C | +125C -40C | +125C
広東省Uchiの電子工学Co.、株式会社

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いいえ。
UCHI-32D751K Teflonwire ページ:4 4の
日付:2022年。12。8
               
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