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NTC SMDのサーミスターの一時的な電圧抑制の多層破片のバリスター
パワーラインの保護のための破片のバリスター
1. 同一証明（部品番号）
| ①タイプ | |
| QV | 破片のバリスター |
| ③アプリケーション コード | |
| P | パワーラインの保護 |
| ④バリスターの電圧@ 1mA | |
| 241 | 240V |
| 471 | 470V |
| ⑥包装 | |
| T | テープ |
| B | 大きさ |
| ②外のり寸法L×W×T （mm） | |
| 0806 | 2.20×1.80×2.00 |
| 1206 | 3.20×1.60×1.60 |
| 1210 | 3.20×2.50×1.7. |
| 1812 | 4.50×3.20×2.50 |
| ⑤バリスターの電圧の許容 | |
| K | ±10% |
| ⑦最高。サージ電流@8/20μs | |
| 500 | 50A |
| 201 | 200A |
2. 構造および次元
| タイプ | L （mm） | W （mm） | T （mm） | a （mm） |
| 0806 | 2.2 +0.2/-0.2 | 1.8 +0.2/-0.2 | 2.0最高。 | 0.50±0.30 |
| 1206 | 3.2 +0.6/-0.4 | 1.8 +0.2/-0.2 | 2.0最高。 | 0.50±0.30 |
| 1210 | 3.2 +0.6/-0.4 | 2.5 +0.4/-0.2 | 2.6最高。 | 0.50±0.30 |
| 1812 | 4.5 +0.6/-0.2 | 3.2 +0.5/-0.2 | 3.5最高。 | 0.60±0.30 |
| 部分 | ① | ② | ③ |
|
部品 |
破片のバリスターのためのZnOの半導体の製陶術 |
内部 電極（AgかAg Pd） |
末端の電極 （Ag/Ni/Sn 3 層） |
高いサージ電流の抑制のための破片のバリスター
構造および次元
高密度取付けの優秀な締め金で止める比率そして強いcapabilのtyiのためにの適したSMDのタイプ
電圧サージの抑制
優秀なsolderabのlity （NI、iのSnのめっき）
適用
、PLC、自動車電子工学、工業計器、スマートなメートル、制御および測定装置、等セキュリティ システムのために使用される。
