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NTC SMDのサーミスターの一時的な電圧抑制の多層破片のバリスター120pF 150pF
適用:携帯電話電池および充電器、温度によって償われる水晶発振器、LCD、コンピュータ マイクロプロセッサ保護回路、電子回路、集積回路（IC）および半導体デバイスの保護回路のプリンター温度修正、さまざまなプレーヤーの運転者の保護回路、program-controlled交換、DC/ACのコンバーターの過熱する保護回路。
パワーラインの保護のための破片のバリスター
| ①タイプ | |
| QV | 破片のバリスター |
| ②外のり寸法L×W×T （mm） | |
| 0402 | 1.00×0.50×0.50 |
| 0603 | 1.60×0.80×0.80 |
| 0805 | 2.00×1.25×0.85 |
| ③アプリケーション コード | |
| E | ESDの保護および一時的な電圧抑制 |
| ④最高の連続的な定常電圧 | |
| 5R5 | 5.5V |
| 180 | 18V |
| ⑤キャパシタンス@1MHz | |
| C121 | 120pF |
| C150 | 15pF |
| ⑥包装 | |
| T | テープ |
| B | 大きさ |
2. 構造および次元
| タイプ | L （mm） | W （mm） | T （mm） | a （mm） |
| 0402 | 1.00±0. 10 | 0.50±0. 10 | 0.50±0. 10 | 0.25±0. 15 |
| 0603 | 1.60±0. 15 | 0.80±0. 15 | 0.80±0. 15 | 0.30±0.20 |
| 0805 | 2.00±0.20 | 1.25±0.20 | 0.85±0.20 | 0.50±0.30 |
| 部分 | ① | ② | ③ |
|
部品 |
破片のバリスターのためのZnOの半導体の製陶術 |
内部 電極 （AgかAg Pd） |
末端の電極（Ag/Ni/Sn 3つの層） |
高いサージ電流の抑制のための破片のバリスター
構造および次元
高密度取付けの優秀な締め金で止める比率そして強いcapabilのtyiのためにの適したSMDのタイプ
電圧サージの抑制
優秀なsolderabのlity （NI、iのSnのめっき）
適用
、PLC、自動車電子工学、工業計器、スマートなメートル、制御および測定装置、等セキュリティ システムのために使用される。
