Shenzhen Tongyifang Optoelectronic Technology Co., Ltd.

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100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました

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Shenzhen Tongyifang Optoelectronic Technology Co., Ltd.
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました

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型式番号 :HF4027JX15C8
原産地 :シンセン
最低順序量 :ネゴシエーション
支払の言葉 :D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :1,000,000 PC/日
受渡し時間 :5-7日
タイプ :COB LED
発光色 :暖かく白く/自然で白く/純粋で白く/涼しく白く/冷たい白
力 :100Wの
保証 :5年
寿命 :50000時間
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100WはLEDの穂軸のBridgleux基礎TYF LEDの破片の導かれる高い内腔の銅の破片を銅張りにします

 

100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました

•3000K、80CRIのために典型的な130 lm/Wの効力

•密集した高い磁束密度の光源

•ユニフォーム、良質の照明

•最低70、80、および90のCRIの選択

•StreaCLinedの上昇温暖気流道

•binningエネルギーSTAR®/ANSIの迎合的な色

 2、3そして5 SDCMの標準の構造

•のハロゲンより白熱エネルギー効率が良い

 そしてけい光ランプ

•高圧か低電圧DC操作

•前部のプロダクト シリーズそして会社のロゴ

•迎合的なRoHS

 

100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました

 

TYF MLシリーズLED配列のための部品番号の指定は次の通り説明されます:

 

100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました

 

100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました

項目いいえ。 P (W) CCT (K) CRI 分(lm)

 

MAX (lm)

電圧(V) 流れ(mA) (lm/W)
HF40251006PB 30 3000 K 70 3186 3540 29.8 960 118
HF40251006PB 30 3500 K 70 3267 3630 29.8 960 121
HF40251006PB 30 4000 K 70 3321 3690 29.8 960 123
HF40251006PB 30 5000 K 70 3375 3750 29.8 960 125
HF40251006PB 30 5700 K 70 3429 3810 29.8 960 127
HF40251006PB 30 6500 K 70 3375 3750 29.8 960 125
HF40251006PB 30 3000 K 80 2916 3240 29.8 960 108
HF40251006PB 30 3500 K 80 2997 3330 29.8 960 111
HF40251006PB 30 4000 K 80 3051 3390 29.8 960 113
HF40251006PB 30 5000 K 80 3105 3450 29.8 960 115
HF40251006PB 30 5700 K 80 3159 3510 29.8 960 117
HF40251006PB 30 6500 K 80 3105 3450 29.8 960 115
HF40251010PB 50 3000 K 70 5220 5800 29.8 1600 116
HF40251010PB 50 3500 K 70 5355 5950 29.8 1600 119
HF40251010PB 50 4000 K 70 5445 6050 29.8 1600 121
HF40251010PB 50 5000 K 70 5535 6150 29.8 1600 123
HF40251010PB 50 5700 K 70 5625 6250 29.8 1600 125
HF40251010PB 50 6500 K 70 5535 6150 29.8 1600 123
HF40251010PB 50 3000 K 80 4770 5300 29.8 1600 106
HF40251010PB 50 3500 K 80 4905 5450 29.8 1600 109
HF40251010PB 50 4000 K 80 4995 5550 29.8 1600 111
HF40251010PB 50 5000 K 80 5085 5650 29.8 1600 113
HF40251010PB 50 5700 K 80 5175 5750 29.8 1600 115
HF40251010PB 50 6500 K 80 5085 5650 29.8 1600 113
 

 

HF40251016PB 80 3000 K 70 8208 9120 29.8 2560 114
HF40251016PB 80 3500 K 70 8424 9360 29.8 2560 117
HF40251016PB 80 4000 K 70 8568 9520 29.8 2560 119
HF40251016PB 80 5000 K 70 8712 9680 29.8 2560 121
HF40251016PB 80 5700 K 70 8856 9840 29.8 2560 123
HF40251016PB 80 6500 K 70 8712 9680 29.8 2560 121
HF40251016PB 80 3000 K 80 7488 8320 29.8 2560 104
HF40251016PB 80 3500 K 80 7704 8560 29.8 2560 107
HF40251016PB 80 4000 K 80 7848 8720 29.8 2560 109
HF40251016PB 80 5000 K 80 7992 8880 29.8 2560 111
HF40251016PB 80 5700 K 80 8136 9040 29.8 2560 113
HF40251016PB 80 6500 K 80 7992 8880 29.8 2560 111
HF40251020PB 100 3000 K 70 10080 11200 29.8 2560 112
HF40251020PB 100 3500 K 70 10350 11500 29.8 2560 115
HF40251020PB 100 4000 K 70 10530 11700 29.8 2560 117
HF40251020PB 100 5000 K 70 10710 11900 29.8 2560 119
HF40251020PB 100 5700 K 70 10890 12100 29.8 2560 121
HF40251020PB 100 6500 K 70 10710 11900 29.8 2560 119
HF40251020PB 100 3000 K 80 9180 10200 29.8 2560 102
HF40251020PB 100 3500 K 80 9450 10500 29.8 2560 105
HF40251020PB 100 4000 K 80 9630 10700 29.8 2560 107
HF40251020PB 100 5000 K 80 9810 10900 29.8 2560 109
HF40251020PB 100 5700 K 80 9990 11100 29.8 2560 111
HF40251020PB 100 6500 K 80 9810 10900 29.8 2560 109

 

100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました

 

100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました

 

100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました

5.1色のBinning情報


図1:X-Y色空間(脈打ったテスト条件、Tj = 25°C)のテスト大箱のグラフ

 

100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました

CIE1931-x

 

表38:TYFの穂軸の中心の範囲のための2ステップ5ステップ砕石の長円色の大箱定義

 

わずか

CCT

中心点 主軸(aのb)

長円

 

 

 

回転天使、θ

X Y 2ステップ 3ステップ 5ステップ
2200K 0.5018 0.4153 (0.0048、0.0027) (0.0072、0.0041) (0.0120、0.0067) 39.9
2500K 0.4806 0.4141 (0.0050、0.0027) (0.0076、0.0041) (0.0126、0.0068) 53.1
2700K 0.4575 0.4101 (0.0053、0.0027) (0.0080、0.0041) (0.0133、0.0068) 54.1
3000K 0.4338 0.4030 (0.0057、0.0028) (0.0086、0.0042) (0.0142、0.0069) 53.7
3500K 0.4073 0.3917 (0.0062、0.0028) (0.0093、0.0041) (0.0155、0.0069) 54.0
4000K 0.3818 0.3797 (0.0063、0.0027) (0.0093、0.0042) (0.0157、0.0068) 53.4
5000K 0.3447 0.3553 (0.0054、0.0024) (0.0081、0.0035) (0.0135、0.0059) 59.8
5700K 0.3290 0.3417 (0.0048、0.0021) (0.0072、0.0032) (0.0119、0.0052) 58.8
6500K 0.3123 0.3282 (0.0044、0.0018) (0.0066、0.0027) (0.0110、0.0045) 58.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました


6.1表39:最高の評価


100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました

表39のためのノート:

  • しかしより高い流れの内腔の維持で配列運転されて減らされるかもしれないです。
  • 軽減する適切な流れは最高の下で接合部温度を維持するために観察されなければなりません
  • 示されたピーク前方流れと等しいピーク ドライブ流れとの脈打った操作は脈拍のオン・タイムが周期ごとの≤1msであり、使用率が≤10%ならです受諾可能脈打ちました
  • 発光ダイオードは逆電圧で運転されるように設計されていないし、この条件の下でライトを作り出しません。参照だけに提供される最高の評価。

 

100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました

 

100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました

 

注:1。すべての次元の許容は通知がなければ±0.2mmです。2.陰極のTcの測定ポイント

 

100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました

 

推薦されたはんだ付けする状態

マニュアルのはんだ付けすることのため。無鉛にはんだ付けすることを使用すればはんだ付けすることはaのはんだ付けするビットを使用して実行されます

350Cより低い温度は1つの土地のための3.5秒以内に終了し。外力は応用ではないです

樹脂の部品にはんだ付けすることが実行される間。はんだ付けする次のプロセスはプロダクトが持っていた後遂行されるべきです

周囲温度に戻して下さい。注意:温度調整

 

100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました

 

100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました

 

プロダクト パッキングおよび分類

 

100W銅の基盤の穂軸は破片の密集した高い磁束密度の光源を導きました

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