Shenzhen Tongyifang Optoelectronic Technology Co., Ltd.

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高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた

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Shenzhen Tongyifang Optoelectronic Technology Co., Ltd.
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた

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型式番号 :HF4027JP15H
原産地 :シンセン
最低順序量 :ネゴシエーション
支払の言葉 :D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :1,000,000 PC/日
受渡し時間 :5-7日
タイプ :穂軸LED
色を出すこと :暖かく白く/自然で白く/純粋で白く/涼しく白く/冷たい白
力 :50W
保証 :5年
寿命 :50000時間
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フリップ・チップの穂軸HF4027JP15H Bridgelux LEDの穂軸50W LM80保証される良質5年の保証の

 

高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた

•3000K、80CRIのために典型的な130 lm/Wの効力

•密集した高い磁束密度の光源

•均一の、良質の照明

•最低70、80、および90のCRIの選択

•StreaCLinedの熱道

•binningエネルギーSTAR®/ANSIの迎合的な色

2、3そして5 SDCMの標準の構造

•のハロゲンより白熱エネルギー効率が良い

そしてけい光ランプ

•高圧か低電圧DC操作

•前部のプロダクト シリーズそして会社のロゴ

•迎合的なRoHS

 

高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた

 

TYF MLシリーズLED配列のための部品番号の指定は次の通り説明される:

 

高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた

高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた

 

項目いいえ。 P (W) CCT (K) CRI 分(lm)

 

MAX (lm)

電圧(V) 流れ(mA) (lm/W)
HF40251006PB 30 3000 K 70 3186 3540 29.8 960 118
HF40251006PB 30 3500 K 70 3267 3630 29.8 960 121
HF40251006PB 30 4000 K 70 3321 3690 29.8 960 123
HF40251006PB 30 5000 K 70 3375 3750 29.8 960 125
HF40251006PB 30 5700 K 70 3429 3810 29.8 960 127
HF40251006PB 30 6500 K 70 3375 3750 29.8 960 125
HF40251006PB 30 3000 K 80 2916 3240 29.8 960 108
HF40251006PB 30 3500 K 80 2997 3330 29.8 960 111
HF40251006PB 30 4000 K 80 3051 3390 29.8 960 113
HF40251006PB 30 5000 K 80 3105 3450 29.8 960 115
HF40251006PB 30 5700 K 80 3159 3510 29.8 960 117
HF40251006PB 30 6500 K 80 3105 3450 29.8 960 115
HF40251010PB 50 3000 K 70 5220 5800 29.8 1600 116
HF40251010PB 50 3500 K 70 5355 5950 29.8 1600 119
HF40251010PB 50 4000 K 70 5445 6050 29.8 1600 121
HF40251010PB 50 5000 K 70 5535 6150 29.8 1600 123
HF40251010PB 50 5700 K 70 5625 6250 29.8 1600 125
HF40251010PB 50 6500 K 70 5535 6150 29.8 1600 123
HF40251010PB 50 3000 K 80 4770 5300 29.8 1600 106
HF40251010PB 50 3500 K 80 4905 5450 29.8 1600 109
HF40251010PB 50 4000 K 80 4995 5550 29.8 1600 111
HF40251010PB 50 5000 K 80 5085 5650 29.8 1600 113
HF40251010PB 50 5700 K 80 5175 5750 29.8 1600 115
HF40251010PB 50 6500 K 80 5085 5650 29.8 1600 113

 

 

4、高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた

 

高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた

 

高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた

5.1色のBinning情報


図1:X-Y色空間(脈打ったテスト条件、Tj = 25°C)のテスト大箱のグラフ

 

高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた

CIE1931-x

 

表38:TYFの穂軸の中心の範囲のための5ステップ砕石の長円色の大箱定義への2ステップ

 

体言

CCT

中心点 主軸(aのb)

長円

 

 

 

回転天使、θ

X Y 2ステップ 3ステップ 5ステップ
2200K 0.5018 0.4153 (0.0048、0.0027) (0.0072、0.0041) (0.0120、0.0067) 39.9
2500K 0.4806 0.4141 (0.0050、0.0027) (0.0076、0.0041) (0.0126、0.0068) 53.1
2700K 0.4575 0.4101 (0.0053、0.0027) (0.0080、0.0041) (0.0133、0.0068) 54.1
3000K 0.4338 0.4030 (0.0057、0.0028) (0.0086、0.0042) (0.0142、0.0069) 53.7
3500K 0.4073 0.3917 (0.0062、0.0028) (0.0093、0.0041) (0.0155、0.0069) 54.0
4000K 0.3818 0.3797 (0.0063、0.0027) (0.0093、0.0042) (0.0157、0.0068) 53.4
5000K 0.3447 0.3553 (0.0054、0.0024) (0.0081、0.0035) (0.0135、0.0059) 59.8
5700K 0.3290 0.3417 (0.0048、0.0021) (0.0072、0.0032) (0.0119、0.0052) 58.8
6500K 0.3123 0.3282 (0.0044、0.0018) (0.0066、0.0027) (0.0110、0.0045) 58.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた


6.1表39:最高の評価


高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた

表39のためのノート:

  • しかしより高い流れの内腔の維持で配列運転されて減らされるかもしれない。
  • 適切な現在の軽減は最高の下で接合部温度を維持するために観察されなければならない
  • 示されたピークへのピーク ドライブ流れの同輩との脈打った操作は脈拍のオン・タイムが周期ごとの≤1msであり、使用率が≤10%なら先に現在である受諾可能脈打った
  • 発光ダイオードは逆電圧で運転されるように設計されていないし、この条件の下でライトを作り出さない。参照だけに提供される最高の評価。

 

高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた

 

高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた

 

注:1。すべての次元の許容は通知がなければ±0.2mmである。2.陰極のTcの測定ポイント

 

高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた

 

推薦されたはんだ付けする状態

手動にはんだ付けすることのため。無鉛にはんだ付けすることを使用すればはんだ付けすることはaのはんだ付けするビットを使用して実行される

350Cより低い温度は1つの土地のための3.5秒以内に終了し。外力は加えられない

樹脂の部品にはんだ付けすることが実行される間。はんだ付けする次のプロセスはプロダクトが持っていた後遂行されるべきである

周囲温度へのリターン。注意:温度調整

 

高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた

 

高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた

 

プロダクト パッキングおよび分類

 

高い変化100wは最低70の破片ANSI SDCMを80 90 CRI導いた

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