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US2Mの高性能の速い回復整流器ダイオード2A 1000v Smbのダイオードの箱は214AAをする

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シティ:changzhou
省/州:jiangsu
国/地域:china
連絡窓口:MsSelena Chai
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US2Mの高性能の速い回復整流器ダイオード2A 1000v Smbのダイオードの箱は214AAをする

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型式番号 :US2M
原産地 :中国
最低順序量 :3K PCS
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :1ヶ月あたりの800KK PCS
受渡し時間 :10の仕事日新しいプロダクト
包装の細部 :テープ及び巻き枠、カートンごとの48K PCSごとの3K PCS。
最高。前方流れ :2A
最高。逆電圧 :1000V
最高。前方電圧 :1.7V
最高。逆の流れ :5uA
実用温度 :-55°C | 150°C
trr :75ns
パッケージ :SMB
材料 :silikon
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高性能SMDの超高速の回復整流器ダイオードUS2M 2アンペアSMB 1000ボルトのDO-214AA
 
US2AによるUS2M
表面の台紙の超高速の整流器
逆電圧-先の50から1000ボルト現在- 2.0アンペア

 

プロダクト デッサン

 

US2Mの高性能の速い回復整流器ダイオード2A 1000v Smbのダイオードの箱は214AAをする

 

技術的な変数

 

タイプ 現在 パッケージ
U1AによるU1M 1 SOD-123FL
UF1AによるUF1M 1 SMA
US1AによるUS1M 1 SMA
US1AFによるUS1MF 1 SMAF
UF2AによるUF2M 2 SMB
US2AによるUS2M 2 SMB
US2AAによるUS2MA 2 SMA
US2AAFによるUS2MAF 2 SMAF
UF3AによるUF3M 3 SMC
US3AによるUS3M 3 SMC
US3AAによるUS3MA 3 SMA
US3AAFによるUS3MAF 3 SMAF
US3ABによるUS3MB 3 SMB
US5AによるUS5M 5 SMC
US5ABによるUS5MB 5 SMB

 

製品の機能

 

プラスチック パッケージは保険業者の実験室の燃焼性の分類94V-0を運ぶ
表面の取付けられた適用のため
高性能のための超高速の切換え
低い逆の漏出
自動化された配置にとって理想的な作り付けのストレイン・レリーフ
高い前方サージ電流の機能
ターミナルの高温はんだ付けする保証された250℃/10秒
 
機械データ
 
場合:JEDEC DO-214AAはプラスチック ボディを形成した
ターミナル:はんだは、MIL-STD-750ごとにsolderableめっきした、
方法2026年
極性:色バンドは陰極の端を表示する
土台位置:
重量:0.005オンス、0.138グラム
 
最高の評価および電気特徴
 
25のCの周囲温度の評価他に特に規定がなければ。
単一フェーズ容量性負荷流れのための半波60Hzの、抵抗または誘導負荷は、20%によって軽減する。

 

  記号
US2A
US2B
US2D
US2G
US2J
US2K
US2M
単位
最高の反復的なピーク逆電圧
VRRM
50 100 200 400 600 800 1000
ボルト
最高RMSの電圧
VRMS
35 70 105 140 210 280 420
ボルト
最高DCの妨害電圧
VDC
50 100 150 200 300 400 600
ボルト
最高平均はTL=55 ℃で先に現在を調整した
私(AV)
2.0
Amps
定格負荷(JEDEC方法)で重ねられるピーク前方サージ電流8.3msの単一の半分の正弦波
IFSM
50
Amps
2.0Aの最高の即時前方電圧
VF 1.0 1.4 1.7
ボルト
最高DCの逆現在のTA=25℃
評価されるDCの妨害電圧TA=100℃
IR

5.0

50.0

µA
最高の逆の回復時間(ノート1)
trr
50 75 ns
典型的な接続点キャパシタンス(ノート2)
CJ
20 pF
典型的な熱抵抗(ノート3)
RθJA
50.0 ℃/W
作動の接続点および保管温度の範囲
TJ、TSTG
-55から+150

 

注:1.Reverse回復状態IF=0.5A、IR=1.0A、Irr=0.25A
4.0V D.C.の1MHzそして応用逆電圧の2.Measured
3.P.C.B. 0.2x0.2」(5.0x5.0mm)銅のパッド区域と取付けられる
 
特性曲線

 

US2Mの高性能の速い回復整流器ダイオード2A 1000v Smbのダイオードの箱は214AAをする

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