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2A 50-1000Vの単一の段階的に行なわれたガラス不動態化されたケイ素橋整流器DB201-DB207
特徴
*ガラス不動態化された破片の接続点
* 50アンペアの高いサージの積み過ぎ評価ピーク
*プリント基板のための理想
*低い前方電圧低下
*保証される高温にはんだ付けすること:10秒の260°C
機械データ
*場合:形成されたプラスチック、DB
*エポキシ:UL 94V-O率の炎-抑制剤
*ターミナル:MIL-STD-202ごとにsolderable鉛方法208は保証した
*取付け位置:
最高の評価及び熱特徴
評価25℃周囲温度のuniessのotherwiesは指定した。
単一フェーズの半波、60Hzの、抵抗または誘導負荷。
容量性負荷のために、20%によって現在を軽減しなさい
| 変数 | 記号 | DB201 | DB202 | DB203 | DB204 | DB205 | DB206 | DB207 | 単位 |
| 最高の反復的なピーク逆電圧 | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| 最高RMS橋入力電圧 | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
| 最高DCの妨害電圧 | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| 最高前方電圧 2.0A DCおよび25℃ | VF | 1.1 | V | ||||||
| 評価されるTA =25 Cで現在の最高DCの逆 要素TA =125 CごとのDCの妨害電圧 | IR | 5.0 500 | μA | ||||||
| 最高平均は先に調整した TA=40 Cの出力電流 | （AV） | 2.0 | |||||||
| ピーク前方サージ電流、8.3人の氏の単一の半分の正弦波 定格負荷（JEDEC方法）で重ねられる | IFSM | 60 | |||||||
| 典型的な熱抵抗（ノート2） | RθJA | 40 | ℃/W | ||||||
| 典型的な熱抵抗（ノート2） | RθJL | 15 | ℃/W | ||||||
| 典型的な接続点キャパシタンス（ノート1） | Cj | 25 | pF | ||||||
| 作動の接続点および保管温度 範囲 | TJ、 TSTG | -55--150 | ℃ | ||||||
注:
1 - 4.0 VDCの1つのMHZそして応用逆電圧で測定した。
2 - 0.5 x 0.5"のPCBに取付けられる単位（13 x 13mm）銅のパッド
サイズ:
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