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単一フェーズのシリコン・ダイオード橋整流器10A 50-1000V GBU10005へのGBU1010
特徴
か。不動態化される構造ガラスは死ぬ
か。1500VRMSの高い場合の絶縁耐力
か。低い逆の漏出流れ
か。220Aピークへのサージの積み過ぎ評価
か。プリント基板の塗布のための理想
か。プラスチック:ULの燃焼性
94V-0を評価する分類
か。ULは確認された部品の下にリストした
、ファイル番号E94661指示しなさい
機械データ
か。場合:形成されたプラスチック
か。ターミナル:めっきされた鉛Solderable每の
MIL-STD-202の方法208
か。極性:ボディで印を付けられる
か。土台:#6ねじのための穴を通して
か。トルクの取付け:5.0インチポンド最高
か。印:日付コードおよびタイプ数
か。重量:6.6グラム（およそ）
最高の評価および電気特徴
評価25 Cの周囲温度のuniessのotherwiesは指定した。
単一フェーズの半波、60Hzの、抵抗または誘導負荷。
容量性負荷のために、20%によって現在を軽減しなさい。
| 変数 | 記号 | GBU 10005 | GBU 1001 | GBU 1002 | GBU 1004 | GBU 1006 | GBU 1008 | GBU 1010 | 単位 |
| 最高の反復的なピーク逆電圧 | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| 最高RMS橋入力電圧 | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
| 最高DCの妨害電圧 | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| 最高の即時前方電圧低下 5.0Aの足1本あたり | VF | 1.0 | V | ||||||
| 評価されるTA =25 Cで現在の最高DCの逆 要素TA =125 CごとのDCの妨害電圧 | IR | 5.0 500 | μA | ||||||
| ピーク前方サージ電流、8.3人の氏の単一の半分の正弦波 定格負荷（JEDEC方法）で重ねられる | IFSM | 50 | |||||||
| 典型的な熱抵抗（ノート2） | ReJA | 2.2 | ℃/W | ||||||
| 典型的な接続点キャパシタンス（ノート1） | Cj | 60 | pF | ||||||
| 作動の接続点および保管温度 範囲 | TJ、 TSTG | -55--150 | ℃ | ||||||
サイズ:
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