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10Aショットキーの整流器ダイオード10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF MOSFETの電界効果トランジスタ
特徴
•175 °C TJ操作
•中心の蛇口構成
•低い前方電圧低下
•高周波操作
•高められた機械強さのための高い純度、高温エポキシのカプセル封入
湿気抵抗
•高められた険しさおよび長期信頼性のための監視リング
•なしの鉛（Pb） （「PbF」の接尾辞）
•産業レベルのために設計され、修飾されて
| 主要な評価および特徴 | |||
| 記号 | 特徴 | 価値 | 単位 |
| （AV） | 長方形の波形 | 10 | |
| VRRM | 150 | V | |
| IFSM | TP = 5つのμsの正弦 | 620 | |
| VF | 5 Apk、TJ = 125 °C （足1本あたりに） | 0.73 | V |
| TJ | 範囲 | - 55から175 | °C |
| 絶対最高評価 | |||||
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 価値 | 単位 | |
| 足1本あたりの最高平均 装置ごとに先に現在 | （AV） | 50%の使用率のTC = 155 °C、長方形の波形 | 5 | ||
| 10 | |||||
| 最高のピーク1周期の足1本あたりの非反復サージ電流 | IFSM | 5つのμsの正弦か3つのμsのrect。脈拍 | 定格負荷の後 評価されるの条件および VRRMは適用した | 620 | |
| 10人の氏の正弦か6人の氏のrect。脈拍 | 115 | ||||
| 足1本あたりの非反復なだれエネルギー | EAS | TJ = 25 °C、IAS = 1 A、L = 10 mH | 5 | mJ | |
| 足1本あたりに現在の反復的ななだれ | IAR | 直線に現在の腐食1 μsのゼロに 最高TJによって限られる頻度VA =典型的な1.5 x VR | 1 | ||
| 電気指定 | |||||
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 価値 | 単位 | |
| 足1本あたりの最高前方電圧低下 | VFM （1） | 5 A | TJ = 25 °C | 0.93 | V |
| 10 A | 1.10 | ||||
| 5 A | TJ = 125 °C | 0.73 | |||
| 10 A | 0.86 | ||||
| 足1本あたりに現在の最高の逆の漏出 | IRM （1） | TJ = 25 °C | VR =評価されるVR | 0.05 | mA |
| TJ = 125 °C | 7 | ||||
| 境界の電圧 | VF （に） | TJ = TJの最高 | 0.468 | V | |
| 敵かた斜面の抵抗 | rt | 28 | mΩ | ||
| 足1本あたりの最高の接続点キャパシタンス | CT | VR = °C 5 VDCの（テスト信号は100つのkHzまで1つのMHz及ぶ） 25 | 200 | pF | |
| 足1本あたりのインダクタンス典型的なシリーズの | LS | パッケージ ボディから5つのmmを導く測定された鉛 | 8.0 | nH | |
| 最高の電圧変化率 | dV/dt | 評価されるVR | 10 000 | V/μs | |
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 価値 | ||
| 最高の接続点および保管温度の範囲 | TJ、TStg | - 55から175 | |||
| 最高の熱抵抗、 足1本あたりに包装するべき接続点 | RthJC | DC操作 | 3.50 | ||
| 最高の熱抵抗、 パッケージ1個あたりに包装するべき接続点 | 1.75 | ||||
| 典型的な熱抵抗、 脱熱器への場合（TO-220のためにだけ） | RthCS | 取付け表面、滑らか、グリースを塗られる | 0.50 | ||
| おおよその重量 | 2 | ||||
| おおよその重量 | 0.07 | ||||
| トルクの取付け | 最低 | 6 （5） | |||
| 最高 | 12 （10） | ||||
| 示す装置 | 場合様式D2PAK | 10CTQ150S | |||
| 場合様式TO-262 | 10CTQ150-1 | ||||
サイズ:
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