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単一フェーズ1.0 Amp橋整流器DB101-DB107の電圧範囲50-1000V
特徴
*プリント基板のための理想
*形成される信頼できる安価構造の利用
プラスチック技術
*高いサージ電流の機能
*極性:ボディで印を付けられる
*取付け位置:
*重量:1.0グラム
最高の評価及び熱特徴
評価25 Cの周囲温度のuniessのotherwiesは指定した。
単一フェーズの半波、60Hzの、抵抗または誘導負荷。
容量性負荷のために、20%によって現在を軽減しなさい
| 変数 | 記号 | DB101 | DB102 | DB103 | DB104 | DB105 | DB106 | DB107 | 単位 |
| 最高の反復的なピーク逆電圧 | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| 最高RMS橋入力電圧 | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
| 最高DCの妨害電圧 | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| 最高の即時前方電圧低下 1.0Aの足1本あたり | VF | 1.1 | V | ||||||
| 評価されるTA =25 Cで現在の最高DCの逆 要素TA =125 CごとのDCの妨害電圧 | IR | 10 500 | μA | ||||||
| 最高平均は先に調整した TA=40 Cの出力電流 | （AV） | 1.0 | |||||||
| ピーク前方サージ電流、8.3人の氏の単一の半分の正弦波 定格負荷（JEDEC方法）で重ねられる | IFSM | 50 | |||||||
| 溶解のための評価（t<8.3ms） | I 2つのt | 10 | 2秒 | ||||||
| 要素（1）ごとの典型的な熱抵抗 | ReJA | 110 | ℃/W | ||||||
| 要素（2）ごとの典型的な接続点キャパシタンス | Cj | 25 | pF | ||||||
| 作動の接続点および保管温度 範囲 | TJ、 TSTG | -55--150 | ℃ | ||||||
注:（接続点からのP.C.boardの土台のAmbemtへの1）熱抵抗。
（2） 4.0ボルトの2.0MHzそして応用逆電圧で測定されて。
サイズ:
なぜ私達を選びなさいか。
1. ISO9001:2008証明された工場
2. ダイオードの生産の豊富な経験20年の
3. 厳密な品質管理は、顧客の最高の満足を達成する
4. 年間生産量は20億ある