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1N4150 DO-35パッケージとの高速スイッチング・ダイオード1N4150 50V 200MA
特徴
1. 高い信頼性
2.高い前方現在の機能
。
適用
コンピュータおよび産業適用の高速スイッチそして一般目的の使用
構造
ケイ素のエピタキシアル平面
機械データ
場合:DO-35、MiniMELF
ターミナル:MIL-STD-202の方法208ごとのめっきされた鉛Solderable
極性:陰極バンド
重量:DO-35 MiniMELF 0.13グラムの0.05グラム
印:陰極バンドだけ
絶対最高評価
TJ = 25°C
| 変数 | テスト条件 | 記号 | 価値 | 単位 |
| 反復的なピーク逆電圧 | VRRM | 50 | V | |
| 逆電圧 | VR | 40 | V | |
| ピーク前方サージ電流 | tp≦1 s | IFSM | 4 | |
| 前方流れ | 600 | mA | ||
| 平均前方流れ | VR =0 | IFAV | 300 | mA |
| 電力損失 | Pv | 500 | MW | |
| 接合部温度 | Tj | 175 | ℃ | |
| 保管温度の範囲 | Tstg | -65~+125 | ℃ |
最高の熱抵抗
TJ = 25°C
| 変数 | テスト条件 | 記号 | 価値 | 単位 |
| 包囲された接続点 | パソコン ボード50mm×50mm×1.6mm | RthJA | 500 | K/W |
電気特徴
TJ = 25°C
| 変数 | テスト条件 | 記号 | 分 | タイプ | 最高 | 単位 |
| 前方電圧 | = 1mA | VF | 0.54 | 0.62 | V | |
| = 10mA | VF | 0.66 | 0.74 | V | ||
| = 50mA | VF | 0.76 | 0.86 | V | ||
| = 100mA | VF | 0.82 | 0.92 | V | ||
| = 200mA | VF | 0.87 | 1.0 | V | ||
| 逆の流れ | VR = 20V | IR | 100 | nA | ||
| VR = 50V、TJ = 150°C | IR | 100 | μA | |||
| ダイオード キャパシタンス | VR = 0、f=1MHz、VHF50mV | CD | 2.5 | pF | ||
| 逆の回復時間 | = IR = 10… 100mA、IR = 1mA、 RL = 100Ω | trr | 4 | ns |
デッサン:
