ウーシーXuyangの電子工学Co.、株式会社。

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一般目的の小さい信号のDO-35場合が付いている速いスイッチング・ダイオード1N4448

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一般目的の小さい信号のDO-35場合が付いている速いスイッチング・ダイオード1N4448

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型式番号 :1N4448
原産地 :中国
最低順序量 :5000個
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン
供給の能力 :1 1週あたりの100000pcs
受渡し時間 :5 - 8 つの仕事日
包装の細部 :箱、5000pcs/boxのテープ
名前 :スイッチング・ダイオード
部品番号 :1N4448
VR :75V
ボックス :DO-35
接合部温度 :175°C
保存温度 :– +175°Cへの65
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1N4448 DO-35場合が付いている高速スイッチング・ダイオードの小さい単一のダイオード

 

 

特徴

 

•ケイ素のエピタキシアル平面のダイオード

•速いスイッチング・ダイオード。

•このダイオードはタイプとのSOD-123場合を含む他の場合様式でまた利用できる

指定1N4448W、タイプ指定LL4148、SOT-23とのMiniMELFの例

タイプ指定IMBD4148との場合。

機械データ

場合:DO-35ガラス容器

重量:およそ0.13g

 

最高の評価および熱特徴(通知がなければTA = 25°C)

変数 記号 限界 単位
逆電圧 VR 75 V
ピーク逆電圧 VRM 100 V

平均調整された流れ

Tamb = 25°Cの抵抗負荷との半波改正

(AV) 150 mA
サージの前方流れのt < 1sおよびTj = 25°C IFSM 500 mA
Tamb = 25°Cの電力損失 Ptot 500 MW
周囲の空気への熱抵抗の接続点 RθJA 350 °C/W
接合部温度 Tj 175 °C
保管温度 TS – 65から+175 °C

 

電気特徴(通知がなければTJ = 25°C)

変数 記号 テスト条件 タイプ 最高 単位
前方電圧 VF

= 5mA

= 100mA

0.62

0.70

1.0

V
現在の漏出 IR

VR = 20V

VR = 75V

VR = 20V、TJ = 150°C

25

5

50

nA

μA

μA

逆の絶縁破壊電圧 V (BR) R IR = 100ìA (脈打つ) 100 V
キャパシタンス Ctot VF = VR = 0V 4 pF
逆の回復時間 trr

= 10mA、IR = 1mA、

VR = 6V、RL = 100Ù

4 ns
改正効率 nv f = 100MHz、VRF = 2V 0.45

 

デッサン:

一般目的の小さい信号のDO-35場合が付いている速いスイッチング・ダイオード1N4448

一般目的の小さい信号のDO-35場合が付いている速いスイッチング・ダイオード1N4448

 

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