ウーシーXuyangの電子工学Co.、株式会社。

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ガラス容器の高い導電率の高速スイッチング・ダイオード1N914

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ガラス容器の高い導電率の高速スイッチング・ダイオード1N914

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型式番号 :1N914
原産地 :中国
最低順序量 :5000個
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン
供給の能力 :1 1週あたりの100000pcs
受渡し時間 :5 - 8 つの仕事日
包装の細部 :箱、5000pcs/boxのテープ
名前 :速いスイッチング・ダイオード
部品番号 :1N914
VR :75V
ピーク逆電圧 :100V
前方電圧低下 :1V
保存温度 :– +175°Cへの65
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DO-35場合の速いスイッチング・ダイオードが付いている高速スイッチング・ダイオード1N914

 

 

特徴

 

速い切り替え速度
高い信頼性
高い導電率
一般目的の転換の適用のため

機械データ

場合:DO-35ガラス容器

Therminals: MIL-STD-202の方法208ごとにsolderable保証した

印:タイプ数

重量:およそ0.13g

 

最高の評価および熱特徴(通知がなければTA = 25°C)

最高の評価(通知がなければTA = 25°C)

characterisic 記号 限界 単位
非反復ピーク逆電圧 VRM 100 V

ピーク反復的な逆電圧

働くピーク逆電圧

DCの妨害電圧

VRRM

VRWM

VR

75 V
RMSの逆電圧 VR (RMS) 53 V

Forwarの連続的な流れ

(ノート1)

IFM 150 mA

平均によって調整される出力電流

(ノート1)

Io 75 mA

非反復ピーク前方サージ電流@ t = 1s

@ t = 1us

IFSM

1.0

1.0

電力損失(ノート1)

25°Cの上で軽減しなさい

Pd 500

MW

mW/°C

周囲の空気(ノート1)への熱抵抗の接続点 RthJA 300 K/W
接続点および保管温度の範囲 Tj、TSTG – 65から+175 °C

 

電気特徴(通知がなければTJ = 25°C)

変数 記号 テスト条件 最高 単位
最高前方電圧 VFM = 10mA 1.0 V
最高のピーク逆の流れ IRM

VR = 75V

VR = 20V、TJ = 150°C

VR = 20V

 

5.0

50

25

μA

μA

nA

 

キャパシタンス Cj VR = 0V、f =1.0 MHz 4 pF
逆の回復時間 trr

= 10mA、IR = 1mA、

VR = 6V、RL = 100Ω

4 ns

注:1。 導きなさい有効8.0mmの間隔の周囲温度で保たれる。

ガラス容器の高い導電率の高速スイッチング・ダイオード1N914

ガラス容器の高い導電率の高速スイッチング・ダイオード1N914

 

私達のサービス:

標準的な条件は歓迎された更新私達に詳細については連絡するために常にである。

私達は100%の実質の状態のプロダクトしか引用しないと約束したり決してまたはコピー原物として改装されて販売しない。

私達の目的は長期協同をすることである。

私達をの見つける私達を専門、常に信頼できるおよびビジネスをすること容易選びなさい。

自信をもってここの会社、私達は優秀な売り上げ後のサービスを、決して後悔しない与えない

私達の選択。

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