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隠し場所は灰色の2.5 W/mKを必須段階の変更材料を予備加熱する脱熱器欠かない
TIC™808Aは低い融点熱インターフェイス材料である。50℃で、TIC™808Aシリーズは始め、それにより熱抵抗を減らす熱解決および集積回路のパッケージの表面両方の顕微鏡の不規則性を柔らかくなり、流れ、満たす。TIC™808Aシリーズは室温に熱性能を減らす部品を補強しないで適用範囲が広い固体および支えがない。
TIC™808Aは1,000 hours@130の℃の後で熱性能低下を示さない、または500の周期の後で、-25℃から125℃.The材料への実用温度で最低移動に終って国家を（ポンプでくみなさい）柔らかくし、十分に変えない。
TIC800Aシリーズ データ用紙（E） - REV01.pdf
特徴:
> ²の/Wの熱抵抗0.018℃
>室温、必要な接着剤無しで自然に粘着性
>必要な脱熱器予熱無し
適用:
> 高周波マイクロプロセッサ
> ノートおよびデスクトップ パソコン
>コンピュータ サーブ
>記憶モジュール
>隠し場所の破片
> IGBTs
| TIC™800Aシリーズの典型的な特性 | |||||
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製品名
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TICTM 803A
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TICTM 805A
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TICTM 808A
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TICTM 810A
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テスト標準
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色
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Ashy
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Ashy
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Ashy
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Ashy
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視覚資料
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合成の厚さ
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0.003"
（0.076mm） |
0.005"
（0.126mm） |
0.008"
（0.203mm） |
0.010"
（0.254mm） |
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厚さの許容
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±0.0006」
（±0.016mm） |
±0.0008」
（±0.019mm） |
±0.0008」
（±0.019mm） |
±0.0012」
（±0.030mm） |
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密度
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2.5g/cc
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ヘリウム 比重びん
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仕事の温度
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-25℃~125℃
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フェーズ遷移の温度
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50℃~60℃
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熱伝導性
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2.5 W/mK
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ASTM D5470 （変更される）
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熱lmpedance @ 50のpsi （345 KPa） @ 50のpsi （345 KPa）
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² /W 0.018℃
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² /W 0.020℃
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² /W 0.047℃
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² /W 0.072℃
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ASTM D5470 （変更される）
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0.11℃ cm ² /W
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0.13℃ cm ² /W
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0.30℃ cm ² /W
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0.46℃ cm ² /W
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