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2.5 mK段階とIGBTsの隠し場所のための材料を変えることは高い熱伝導性を欠きます
TIC™800Aシリーズは低い融点熱インターフェイス材料です。50℃で、TIC™800Aシリーズは柔らかくなり始め、流れるために、熱解決および集積回路両方の顕微鏡の不規則性を満たしてそれにより熱抵抗を減らす表面を、包んで下さい。TIC™800Aシリーズは室温に熱性能を減らす部品を補強しないで適用範囲が広い固体および支えがないです。
TIC™800Aシリーズは-25℃からの125℃.The材料への500の周期の後の1,000 hours@130の℃が、または、最低移動（ポンプ）に終って実用温度で国家を柔らかくした、十分に変えない後熱性能低下を示しません。
特徴:
> ²の/Wの熱抵抗0.018℃
>室温、必要な接着剤無しで自然に粘着性
>必要な脱熱器予熱無し
適用:
> 高周波マイクロプロセッサ
> ノートおよびデスクトップ パソコン
>コンピュータ サーブ
>記憶モジュール
>隠し場所の破片
> IGBTs
| TIC™800Aシリーズの典型的な特性 | |||||
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製品名
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TICTM803A
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TICTM805A
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TICTM808A
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TICTM810A
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テスト標準
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色
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Ashy
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Ashy
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Ashy
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Ashy
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視覚
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合成の厚さ
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0.003"
（0.076mm） |
0.005"
（0.126mm） |
0.008"
（0.203mm） |
0.010"
（0.254mm） |
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厚さの許容
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±0.0006」
（±0.016mm） |
±0.0008」
（±0.019mm） |
±0.0008」
（±0.019mm） |
±0.0012」
（±0.030mm） |
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密度
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2.5g/cc
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ヘリウムの比重びん
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仕事の温度
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-25℃~125℃
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フェーズ遷移の温度
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50℃~60℃
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設定の温度
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5分の70℃
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熱伝導性
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2.5 W/mK
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ASTM D5470 （変更される）
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熱lmpedance @ 50のpsi （345 KPa） @ 50のpsi （345 KPa）
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² /W 0.018℃
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² /W 0.020℃
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² /W 0.047℃
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² /W 0.072℃
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ASTM D5470 （変更される）
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0.11℃ cm ² /W
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0.13℃ cm ² /W
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0.30℃ cm ² /W
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0.46℃ cm ² /W
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