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7.4V/11.1V/14.8V 2S/3S/4S 10A李イオンのためのSMBusの1.Battery管理サーキット ボードおよび李ポリマー電池は詰まります;
2.BMS/PCB/PCMは2/3/4の細胞李ion/Liポリマー電池のパックに適用します;
3.Toは過充電、overdischargeから電池のパックを、流れ上の、温度上の、短絡防ぎます;
4.The最高の働く流れ:10A;
李イオンおよび李ポリマー細胞両方との5.Compatible。
| 項目 | 目次 | 規準 |
| 1 | 電池容量 | か。か。か。mAh （の鍵が開く破片調節可能な） |
| 2 | 連続的な充満および放出流 | 典型的な10A |
| 3 | 充電器の保護電圧に | 4280 ±50mV （の鍵が開く破片調節可能な） |
| 4 | 過充電の回復電圧 | 4150±50mV （の鍵が開く破片調節可能な） |
| 5 | 放電叉の保護電圧に | 2700±50mV （の鍵が開く破片調節可能な） |
| 6 | 排出の回復電圧に | 3000±50mV （の鍵が開く破片調節可能な） |
| 7 | 過充電の流れ | ≤6-8A （遅れ8-10S） （調節可能な、鍵が開く破片） |
| 8 | 現在の保護流れに | ≤15A （遅れ8-10S） （調節可能な、鍵が開く破片） |
| 9 | 温度に | ≤75 ±10OC （調節可能な） |
| 10 | 詰まるべき入力電圧Pack+ | 典型的な8.4V |
| 11 | 自己消費 | ≤500uA |
| いいえ。 | 項目 | 範囲 | 変数 | ノート |
| 1 | COVの境界（mV） | 3700-5000 | 4300 | |
| 2 | COVの回復（mV） | 0-4400 | 4150 | |
| 3 | CUVの境界（mV） | 0-3500 | 2700 | |
| 4 | CUVの回復（mV） | 0-3600 | 3000 | |
| 5 | OC （（a）第1層） Chg | 0-20 | 6 | |
| 6 | OC （第1層） Dsg （A） | 0-20 | 6 | |
| 7 | 現在の回復時間 | 0-240 | 8 | |
| 8 | 臨時雇用者Chgに | 0-120 | 60.0 | |
| 9 | OT Chgの回復 | 0-120 | 55.0 | |
| 10 | 臨時雇用者Dsgに | 0-120 | 65.0 | |
| 11 | OT Dsgの回復 | 0-120 | 60.0 | |
| 12 | 速い充満流れ（mA） | 2500 | ||
| 13 | 充満電圧（mV） | 12600 | ||
| 13 | 設計吐出し量（mAH） | 0-65535 | 4400 |
プログラム可能な選択の設定
チタニウムの破片データ フラッシュは破片のデータ用紙で詳しく述べられるデフォルト設定ごとに形成されて来ます。
評価される破片の解決のためのパックそして適用に一致させるために設定が正しく変わることを確認して下さい。
次としてプログラミングの関係:
重要:これらの選択の正しい設定は最高の性能を得て必要です。
設定はデータ フラッシュ スクリーンを使用して形成することができます。
P.S.:BesTech力からのすべてのプロダクトはよくプログラムされ、目盛りが付いています。
PC/Laptopのすべての変数を調節するため:
（PCのソフトウェアのスクリーン ショット）