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8 年
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NRV2012T1R5NGFによって保護されたSMDは電子工学コンピュータのための誘導器をつないだ
記述:
| インダクタンス | 1.5 uH ± 30% |
| 場合のサイズ（mm） | 2.0x2.0 |
| 評価される現在（最高） | 1.4 A |
| 飽和電流（最高） | 1.8 A （⊿L=30%） |
| 飽和電流（タイプ） | 1.95のA （⊿L=30%） |
| 温度の上昇の流れ（最高） | 1.4 A （⊿T=40℃） |
| 温度の上昇の流れ（タイプ） | 1.55のA （⊿T=40℃） |
| DCの抵抗（最高） | 0.12 Ω |
| DCの抵抗（タイプ） | 0.1 Ω |
| LQの測定の頻度 | 100つのkHz |
| 作動の臨時雇用者。範囲 | -25から+120 ℃ （を含自己発生させた熱） |
| 温度の特徴 （インダクタンス変更） | ± 20%年 |
| RoHSの承諾（10 subst。） | はい |
| 範囲の承諾（201 subst。） | はい |
| 自由なハロゲン | はい |
次元:
| 次元L | 2.0 ±0.1 mm |
| 次元W | 2.0 ±0.1 mm |
| 次元H | 最高の1.2 mm |
| 次元e | 0.5 ±0.2 mm |
| 次元f | 1.25 ±0.2 mm |