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NRV2012T1R5NGFによって保護されたSMDは電子工学コンピュータのための誘導器をつないだ
記述:
| インダクタンス | 1.5 uH ± 30% |
| 場合のサイズ(mm) | 2.0x2.0 |
| 評価される現在(最高) | 1.4 A |
| 飽和電流(最高) | 1.8 A (⊿L=30%) |
| 飽和電流(タイプ) | 1.95のA (⊿L=30%) |
| 温度の上昇の流れ(最高) | 1.4 A (⊿T=40℃) |
| 温度の上昇の流れ(タイプ) | 1.55のA (⊿T=40℃) |
| DCの抵抗(最高) | 0.12 Ω |
| DCの抵抗(タイプ) | 0.1 Ω |
| LQの測定の頻度 | 100つのkHz |
| 作動の臨時雇用者。範囲 | -25から+120 ℃ (を含自己発生させた熱) |
| 温度の特徴 (インダクタンス変更) | ± 20%年 |
| RoHSの承諾(10 subst。) | はい |
| 範囲の承諾(201 subst。) | はい |
| 自由なハロゲン | はい |
次元:

| 次元L | 2.0 ±0.1 mm |
| 次元W | 2.0 ±0.1 mm |
| 次元H | 最高の1.2 mm |
| 次元e | 0.5 ±0.2 mm |
| 次元f | 1.25 ±0.2 mm |